摘要: 通过对5 V双向TVS产品结构和工艺的研究,分析了高温退火工艺条件下衬底外延离子扩散对晶圆边缘处器件漏电和良率的影响。通过优化退火工艺,改善了器件表面缺陷,解决了晶圆边缘处器件漏电过高的问题,将片内良率从93%提升至99%以上。
中图分类号:
陈正才. 5 V双向TVS器件表面缺陷改善[J]. 电子与封装, 2021, 21(9):
090405 .
CHEN Zhengcai. Surface Defect Improvement of 5 V BidirectionalTVS Device[J]. Electronics & Packaging, 2021, 21(9):
090405 .