中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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电子与封装 ›› 2019, Vol. 19 ›› Issue (1): 044 -48. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0011

• 微电子制造与可靠性 • 上一篇    

一种电路的静态损伤机理分析

阮建新,肖培磊   

  1. 中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏 无锡 214072
  • 收稿日期:2018-09-26 出版日期:2019-01-21 发布日期:2019-01-21
  • 作者简介:阮建新(1988—),男,河南省开封市人,硕士学历,工程师,主要研究方向为模拟集成电路设计。

An Analysis of IC′s ESD Failure Mechanism

RUAN Jianxin,XIAO Peilei   

  1. China Electronic Technology Group Corporation No.58 Research Institute,Wuxi 214072,China
  • Received:2018-09-26 Online:2019-01-21 Published:2019-01-21

摘要: 介绍了电路静态电荷放电的三种模型,并对组件充电模型进行了详细介绍。对电路的失效现象进行分析,失效原因在于电路在组件充电模型下抗静态电荷损伤能力较弱,并提出了新的防电路静态损伤结构来解决组件充电模型下电路防静电能力不足的问题。

关键词: 电路电荷放电, 组件充电模型, 驱动电路, 失效分析

Abstract: Three ESD models are introduced in the article, especially CDM in detailed. Do some analyses about circuit failure and the reason that the ESD energy of circuit is weak under the CDM has been found. Due this reason, a new circuit structure is put forward to solve this problem.

Key words: ESD, CDM, drivercircuit, failure mechanism

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