电子与封装

2019年第19卷第1期 pp.01 -3

李菁萱，林鹏荣，黄颖卓，练滨浩. 助焊剂残留对底部填充粘接强度的影响[J]. 电子与封装, 2019, 19(1): 1-3.

LI Jingxuan, LIN Pengrong, HUANG Yingzhuo, LIAN Binhao. Effect of Residual Flux on the Underfill Process[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(1): 1-3.

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芯片铝焊盘上不同金属丝键合质量研究

杨建伟¹，梁大钟¹，施保球¹，韩香广²

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0002

摘要 ( 526 )

HTML ( 100 )

PDF(2216KB) ( 707 )

金属键合丝是半导体封装中非常关键的材料,它直接影响到键合的工艺表现和互连的可靠性。以不同金属丝(金丝、钯铜丝、金钯铜丝、银丝)和芯片铝焊盘第一焊点的键合为研究对象,分析对比各金属丝作为键合丝材料本身的基本性质、与铝焊盘键合第一焊点的工艺性能、与铝焊盘键合第一焊点的可靠性,发现其工艺性能和可靠性都满足半导体封装的键合要求。可靠性试验显示,各金属丝与铝焊盘之间的金属间化合物生长速度不同,但与可靠性失效无直接关系;可靠性失效都是由于金属丝焊球与铝焊盘脱落造成的;选择不同金属丝键合可满足不同的可靠性要求。

参考文献 |

2019年第19卷第1期 pp.04 -8

杨建伟¹，梁大钟¹，施保球¹，韩香广². 芯片铝焊盘上不同金属丝键合质量研究[J]. 电子与封装, 2019, 19(1): 4-8.

YANG Jianwei¹, LIANG Dazhong¹, SHI Baoqiu¹, HAN Xiangguang². Study of Bonding Performance and Reliability for Different Bond Wires[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(1): 4-8.

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老炼板不良的引入与检查

郁骏，邵振宇，宋均

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0003

摘要 ( 211 )

HTML ( 192 )

PDF(1177KB) ( 184 )

老炼、寿命试验作为元器件筛选、考核鉴定过程中不可缺少的一项，老炼板的可靠性是决定试验结果的重要因素。焊接作为老炼板组装过程的重要环节，焊接的质量直接关系到老炼板在整个试验过程中的可靠性和稳定性。通过对焊接过程中可能产生的不良现象进行分析，归纳不良产生的原因，总结出一套规范有效的焊接方法和老炼板检查流程，确保老炼板在筛选、考核鉴定过程中的可靠性。

参考文献 |

2019年第19卷第1期 pp.09 -12

郁骏，邵振宇，宋均. 老炼板不良的引入与检查[J]. 电子与封装, 2019, 19(1): 9-12.

YU Jun, SHAO Zhenyu, SONG Jun. The Introduction and Inspection of Bad Welding[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(1): 9-12.

电路设计

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COT模式下内置纹波补偿技术的Buck变换器

夏剑平，王彬，黄堃，徐勤媛

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0004

摘要 ( 190 )

HTML ( 10 )

PDF(1258KB) ( 180 )

当输出旁路电容为陶瓷电容等低等效串联电阻(equivalent series resistance, ESR)电容时,传统固定导通时间(constant on-time, COT)模式下的同步降压变换器容易出现周期性振荡现象。对此,提出一种可内置于芯片的纹波补偿技术。通过将与ESR电压纹波成比例同步变化的量注入到补偿电路中,并将该电压与直流参考电压比较,以实现当使用低ESR电容时,COT架构的降压器能稳定工作。同时通过仿真及实验结果验证了对稳定性和纹波补偿相关分析的正确性。

参考文献 |

2019年第19卷第1期 pp.013 -17

夏剑平，王彬，黄堃，徐勤媛. COT模式下内置纹波补偿技术的Buck变换器[J]. 电子与封装, 2019, 19(1): 13-17.

XIA Jianping, WANG Bin, HUANG Kun, XU Qinyuan. A Built-in Ripple Compensation Technique for Constant On-Time Buck Converter[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(1): 13-17.

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一种基于厚膜工艺的电流采集电路设计

倪春晓，赵国清

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0005

摘要 ( 133 )

HTML ( 211 )

PDF(881KB) ( 133 )

目前国内星载供配电系统中,通常采用印制线路板技术实现对供配电母线电流的采集与输出,该技术虽然应用广泛,但在当今小型化趋势的推动下,显然已经不能满足星载供配电系统对小型化、轻量化的需求。针对上述问题,设计了一种基于厚膜混合电路工艺的电流采集电路。该工艺技术与印制线路板技术相比,电路版图面积不足后者的十分之一,且采集精度可以通过厚膜激光调阻技术大幅度提高。目前,该厚膜电路已成功应用于多个型号的星载固态功率控制器的设计中。

参考文献 |

2019年第19卷第1期 pp.018 -22

倪春晓，赵国清. 一种基于厚膜工艺的电流采集电路设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(1): 18-22.

NI Chunxiao, ZHAO Guoqing. Current-Acquisition Circuit Design Based on Thick-Film Process[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(1): 18-22.

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一种用于1.25 Gbps光接收机的跨阻放大器设计

郑薇，任军，尹浩，刘浩

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0006

摘要 ( 113 )

HTML ( 6 )

PDF(1217KB) ( 197 )

给出了一种用于1.25 Gbps光接收机的跨阻放大器（TIA，Transfer Impedance Amplifier）设计。该TIA采用电阻并联反馈形式。为保证TIA在PVT（Process, Voltage, Temperature）变化范围较大时较一致的带宽和增益，设计了自适应带宽控制电路来稳定带宽。为满足较宽的动态范围，通过自动增益控制电路（AGC）控制增益。该TIA采用0.18 μm CMOS工艺进行设计，实测结果表明，在输入端光电二极管电容CPD为0.7 pF时，TIA的增益为12.0 kΩ，带宽达0.96 GHz，总噪声电流为104 nA，满足1.25 Gbps光接收机的指标要求。

参考文献 |

2019年第19卷第1期 pp.023 -27

郑薇，任军，尹浩，刘浩. 一种用于1.25 Gbps光接收机的跨阻放大器设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(1): 23-27.

ZHENG Wei, REN Jun, YIN Hao, LIU Hao. Design of Transfer Impedance Amplifier Chip for 1.25 Gbps Optical Receivers[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(1): 23-27.

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一种高精度RC振荡器的设计

邓玉清，葛兴杰，宣志斌

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0007

摘要 ( 276 )

HTML ( 82 )

PDF(1480KB) ( 207 )

提出了一种基于CSMC 0.25 μm CMOS工艺、输出高精度方波信号的低成本RC振荡器。采用正负温度系数电阻的线性叠加，产生不受温度影响的充电电流，消除了温度对精度的影响。增加修调电容，补偿工艺偏差对精度的影响，实现高精度的振荡输出。采用Spectre对电路进行温度扫描和电压变化仿真，结果表明在宽温度范围(-55～125℃)和宽电源电压范围(2.7～5.5 V)得到了非常稳定的振荡输出，受温度影响的频偏最大为1%，受电源电压变化的频偏仅为0.26%，适合电源管理芯片应用。

参考文献 |

2019年第19卷第1期 pp.028 -31

邓玉清，葛兴杰，宣志斌. 一种高精度RC振荡器的设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(1): 28-31.

DENG Yuqing,GE Xingjie,XUAN Zhibin. Design of a High Precision RC Oscillator[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(1): 28-31.

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基于HDL任务的SWD协议实现与仿真

史兴强，鲍宜鹏

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0008

摘要 ( 182 )

HTML ( 250 )

PDF(1657KB) ( 162 )

MCU芯片一般都使用JTAG作为调试接口，但JTAG至少要占用4个引脚，而SWD(Serial wire debugger)只占用2个引脚，适合封装引脚数较少的芯片。由于SWD是串行的，数据按时钟边沿一位一位传输。按照传统的编程方法，在大量编程时会导致冗余与复杂，难以理解与应用。通过对SWD协议的深入研究，首先将协议中复位、密钥、空闲、写指令等基本操作编写为基本任务，然后通过调用一些基本任务来编写中型任务，最后通过调用中型任务以实现大型任务的编写。在CDS/incisiv142仿真环境下，使用大型任务进行编程，实现了通过SWD调试接口访问的MCU芯片内核寄存器及外设。

参考文献 |

2019年第19卷第1期 pp.032 -36

史兴强，鲍宜鹏. 基于HDL任务的SWD协议实现与仿真[J]. 电子与封装, 2019, 19(1): 32-36.

SHI Xingqiang,BAO Yipeng. Implementation and Simulation of the SWD Agreement Based on the HDL Task[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(1): 32-36.

微电子制造与可靠性

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基于0.13 μm工艺的1.5 V低功耗MOSFET器件设计

王鹢奇

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0009

摘要 ( 148 )

HTML ( 82 )

PDF(879KB) ( 182 )

针对0.13 μm工艺常规MOSFET器件的制备流程进行了分析，提出了低功耗工艺改善方法，并针对优化工艺条件下的器件进行TCAD仿真，设计并进行了完整的DOE实验及样品性能测试。测试结果表明，通过调整轻掺杂漏区（LDD）的离子注入条件，冠状离子注入区的角度、浓度以及沟道阀值电压离子注入区浓度等一系列方法，实现了0.13 μm工艺1.5 V MOSFET器件关断条件下漏电流低于1 pA/μm。

参考文献 |

2019年第19卷第1期 pp.037 -40

王鹢奇. 基于0.13 μm工艺的1.5 V低功耗MOSFET器件设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(1): 37-40.

WANG Yiqi. Design of 1.5 V Low Power MOSFET Device Based on 0.13 μm Process[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(1): 37-40.

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抗辐射高压SOI埋氧总剂量效应研究

徐海铭，洪根深，吴建伟，徐政，刘国柱

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0010

摘要 ( 181 )

HTML ( 5 )

PDF(1074KB) ( 131 )

研究了抗辐射高压SOI埋氧总剂量加固技术，发现在总剂量辐射条件下不同埋氧加固工艺背栅阈值变化的情况。通过增加埋氧加固技术可以有效地抑制总剂量辐射环境下对高压器件的调制效应。

参考文献 |

2019年第19卷第1期 pp.041 -43

徐海铭，洪根深，吴建伟，徐政，刘国柱. 抗辐射高压SOI埋氧总剂量效应研究[J]. 电子与封装, 2019, 19(1): 41-43.

XU Haiming,HONG Genshen,WU Jianwei,XU Zheng,LIU Guozhu. Investigation of the Total Ionizing Dose Effects in SOI High Voltage Devices[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(1): 41-43.

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一种电路的静态损伤机理分析

阮建新，肖培磊

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0011

摘要 ( 128 )

HTML ( 9 )

PDF(1020KB) ( 217 )

介绍了电路静态电荷放电的三种模型，并对组件充电模型进行了详细介绍。对电路的失效现象进行分析，失效原因在于电路在组件充电模型下抗静态电荷损伤能力较弱，并提出了新的防电路静态损伤结构来解决组件充电模型下电路防静电能力不足的问题。

参考文献 |