铜线键合塑封器件破坏性物理分析技术

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0003

电子与封装 ›› 2017, Vol. 17 ›› Issue (1): 10 -14. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0003

铜线键合塑封器件破坏性物理分析技术

郁振华，虞勇坚，万　力

中国电子科技集团公司第58研究所，江苏无锡 214035

出版日期:2017-01-15 发布日期:2020-04-17
作者简介:郁振华（1981—），男，江苏无锡人，2004年毕业于苏州大学电子工程系，主要从事半导体集成电路的可靠性检测工作。

Research of DPA Technology for Plastic-Packaged Devices of Copper Wire Bonding

YU Zhenhua, YU Yongjian, WAN Li

China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute, Wuxi 214035,China

Online:2017-01-15 Published:2020-04-17

摘要/Abstract

摘要： 铜线替代传统的金线键合已经成为半导体封装工艺发展的必然趋势,因其材料和制造工艺的特点,其破坏性物理分析方法不同于金线或铝线键合的器件。提出铜丝键合塑封器件破坏性物理分析的步骤及判据参照标准,讨论了器件激光开封技术的工艺步骤和参数值以及键合强度测试判据和典型断裂模式,以解决铜线键合塑封器件的破坏性物理分析问题。

关键词: 铜线, 键合, 开封, 破坏性物理分析

Abstract: Recently copper is replacing gold in semiconductor packaging. DPA (Destructive Physical Analysis) for copper wire bonding is quite different from that of gold/aluminum wire bonding. The paper presents the DPA flow and failure criteria, process flow and parameter in laser decap, and criteria and typical broken mode.

Key words: copper wire, bonding, decapsulation, DPA

中图分类号:

TN305.94

郁振华，虞勇坚，万　力. 铜线键合塑封器件破坏性物理分析技术[J]. 电子与封装, 2017, 17(1): 10 -14.

YU Zhenhua, YU Yongjian, WAN Li. Research of DPA Technology for Plastic-Packaged Devices of Copper Wire Bonding[J]. Electronics & Packaging, 2017, 17(1): 10 -14.

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中国半导体行业协会封装分会会刊

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Research of DPA Technology for Plastic-Packaged Devices of Copper Wire Bonding

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