“碳化硅功率半导体技术”专题 栏目所有文章列表

(按年度、期号倒序)     一年内发表的文章 |  两年内 |  三年内 |  全部 Please wait a minute... 选择: 导出引用 EndNote Ris BibTeX 显示/隐藏图片 Select 1. SiC车用电机驱动研究发展与关键技术 宁圃奇, 郑 丹, 康玉慧, 陈永胜, 崔 健, 张 栋, 李 晔, 范 涛 电子与封装    2022, 22 (3): 30101-.   DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0301 摘要 （891）      PDF（pc） （2807KB）（565）    可视化    收藏 摘? 要：碳化硅（SiC）器件具有低导通压降、可高速开关、可高温工作等优点，在车用电机驱动方面显示出巨大的技术优势和市场潜力。论述了SiC MOSFET器件实现高频、高温性能的难点，分别综述了模块、测试、电容、EMI滤波器、系统集成等方面的技术重点和主要研究方向，介绍了提升电机驱动产品性能的关键。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 | 评论（0） Select 2. 10 kV SiC GTO器件特性研究* 程 琳;罗佳敏;龚存昊;张有润;唐 毅;门富媛;都小利 电子与封装    2022, 22 (3): 30102-.   DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0302 摘要 （899）      PDF（pc） （2169KB）（388）    可视化    收藏 摘 ?要：基于第三代宽禁带半导体材料4H-SiC的超高压门极可关断晶闸管（Gate Turn-Off Thyristor, GTO）器件，在双向载流子注入和电导调制效应的作用下，器件在耐高压的同时获得高通态电流，在功率密度和可靠性等方面可以满足超大功率应用的要求。考虑到正向阻断电压、正向导通压降和脉冲电路下的开启时间等，提出了10 kV 4H-SiC GTO器件，借助Silvaco TCAD仿真工具研究了GTO器件的正向导通特性、正向阻断特性、动态开关特性和脉冲放电特性，得出了其正向导通压降为4.605 V，正向阻断电压为14.78 kV，开启时间为55 ns，关断时间为13.3 ns。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 | 评论（0） Select 3. “碳化硅功率半导体器技术”专题前言 邓小川 电子与封装    2022, 22 (2): 20100-.   摘要 （126）      PDF（pc） （284KB）（251）    可视化    收藏 相关文章 | 多维度评价 | 评论（0） Select 4. SiC MOSFET栅极驱动电路研究综述* 周泽坤, 曹建文, 张志坚, 张 波 电子与封装    2022, 22 (2): 20101-.   DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0201 摘要 （2344）      PDF（pc） （3737KB）（725）    可视化    收藏 凭借碳化硅（SiC）材料具有宽禁带、高击穿电场、高电子饱和速率和高导热性等优点，SiC MOSFET广泛应用在高压、高频等大功率场合。传统基于硅（Si）MOSFET的驱动电路无法完全发挥SiC MOSFET的优异性能，针对SiC MOSFET的应用有必要采用合适的栅驱动设计技术。目前，已经有很多学者在该领域中有一定的研究基础，为SiC MOSFET驱动电路的设计提供了参考。对现有基于SiC MOSFET的PCB板级设计技术进行了详细说明，并从开关速度、电磁干扰噪声以及能量损耗等方面对其进行了总结和分析，给出了针对SiC MOSFET驱动电路的设计考虑和建议。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 | 评论（0） Select 5. 碳化硅器件挑战现有封装技术 曹建武, 罗宁胜, Pierre Delatte, Etienne Vanzieleghem, Rupert Burbidge 电子与封装    2022, 22 (2): 20102-.   DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0202 摘要 （3177）      PDF（pc） （3695KB）（1527）    可视化    收藏 碳化硅（SiC）器件的新特性和移动应用的功率密度要求给功率器件的封装技术提出了新的挑战。现有功率器件的封装技术主要是在硅基的绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）等基础上发展起来的，并一直都在演进，但这些渐进改良尚不足以充分发挥SiC器件的性能，因而封装技术需要革命性的进步。在简述现有封装技术及其演进的基础上，主要从功率模块的角度讨论了封装技术的发展方向。同时讨论了功率模块的新型叠层结构以及封装技术的离散化、高温化趋势，并对SiC器件封装技术的发展方向做出了综合评估。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 | 评论（0）