电子与封装 ›› 2018, Vol. 18 ›› Issue (9): 45 -48. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2018.0104
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郑若成,曾庆平,吴素贞,王印权,吴建伟,徐海铭,洪根深
ZHENG Ruocheng, ZENG Qingping, WU Suzhen, WANG Yinquan, WU Jianwei, XU Haiming, HONG Genshen
摘要: MTM(Metal To Metal)反熔丝薄膜工艺是反熔丝工艺的关键技术。介绍了MTM反熔丝薄膜单项工艺开发采用的DOE(Design Of Experiment)试验方法。基于CVD(Chemical Vapor Deposition)工艺,通过对射频RF、气体1流量以及基座间距进行DOE试验设计,以厚度均匀性、折射率以及应力等工艺参数响应,并通过容宽验证,完成了反熔丝薄膜主要参数的工艺菜单开发。主要提供一种采用DOE试验设计进行单项工艺开发的方法,为科研生产工作中各种关键单项工艺开发提供参考和借鉴。
中图分类号: