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微波印制板自动金丝楔焊工艺优化
张加波, 王道畅, 张忠波
论述了自动金丝楔焊应用于复合微波印制板高密度互连存在的难点，包括印制板硬度低、填充孔位置和印制板键合面高度一致性差带来的楔焊困难。采取多阶段施加压力和超声来降低印制板低硬度的影响，精细化编程将楔焊点位置避开填充孔，筛选印制板高度中值作为基准，降低键合面高度一致性差的影响。同时定制了楔焊劈刀工具，实现了中心线间距不低于45 μm的高精度楔焊，并应用到批量产品生产中。
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张加波, 王道畅, 张忠波. 微波印制板自动金丝楔焊工艺优化[J]. 电子与封装, 2018, 18(9): 1-4.
ZHANG Jiabo, WANG Daochang, ZHANG Zhongbo. The Optimization of Automatic Gold Wire Wedge Bonding Process for Microwave Printed Circuit Board[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(9): 1-4.
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压合凹陷造成短路的原因分析及改善*
李 忠, 麻建华, 李学易
介绍了对细密线路PCB板一次合格率的改善工作，重点是压合凹陷造成的短路现象的最新研究进展。通过对中测缺陷问题进行分析，发现压合凹陷是重要的中测良率影响因素。对压合凹陷短路现象产生的主要原因（PP粉、纤维丝、涂膜剂及其他灰尘杂物）做了进一步分析，并提出改善办法，可以有效降低压合凹陷造成的短路不良，从而提高中测一次合格率。
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李 忠, 麻建华, 李学易. 压合凹陷造成短路的原因分析及改善*[J]. 电子与封装, 2018, 18(9): 5-7.
ZHANG Hao, YANG Jing, LI Yao. Analysis and Improvement of the Causes of Short Circuit Caused by Compression Depression[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(9): 5-7.
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基于聚类分区算法的FPGA高效动态部分可重构设计*
谢 达, 宋林峰, 董宜平, 胡 凯
当前基于现场可编程门阵列（FPGA）的动态部分可重构设计已经成为实现硬件加速的最热门方法之一，但分区的方法直接影响可重构区域面积和重配置时间。因此，研究将可重构系统划分为许多可重构模块（RMs），并分配到FPGA上的可重构区域（RRs）的方法具有重要意义。在分析和评价现有分区技术的重构时间和区域面积利用率的基础上，提出了一种新的动态部分可重构方案。该方法基于图形聚类算法对分区过程进行优化，自动寻找最优分区方案，并在重配置过程中实现了可重构区域之间走线的动态连接，最终实现重构时间和区域面积的同时优化，与Vipin算法方案相比，该设计方案的重配置时间减少了约10%，可重构面积减少了约18.5%。
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谢 达, 宋林峰, 董宜平, 胡 凯. 基于聚类分区算法的FPGA高效动态部分可重构设计*[J]. 电子与封装, 2018, 18(9): 8-14.
XIE Da, SONG Linfeng, DONG Yiping, HU Kai. FPGA High Effective Dynamic Partial Reconfigurable Design Based on Clustering Partition Algorithm[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(9): 8-14.
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一款8位高速逐次比较型ADC的设计
王堋钰, 高 博, 钱 正, 龚 敏, 谭 萍
基于CSMC 180 nm CMOS工艺，设计了一款8位逐次逼近(SAR)A/D转换器芯片。采用了改进型的DAC结构，不仅解决了最高位电容对SAR ADC速度的影响，而且提高了高速动态锁存比较器电路的效率。仿真结果表明，在输入信号为25 MHz、采样频率51 MS/s的条件下进行仿真，该A/D转换器的功耗为0.61 mW，FOM值为89 fJ/conv，信号噪声失真比(SNDR)为44.34 dB，无散杂动态范围(SFDR)为51.6 dB，有效位数(ENOB)为7.07 dB。在固定单位电容的结构中，只在差分结构两端最高位各增加一个寄存器资源的条件下，以增加0.05 mW的功耗代价，使速度相对于传统结构提高了一倍。
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王堋钰, 高 博, 钱 正, 龚 敏, 谭 萍. 一款8位高速逐次比较型ADC的设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(9): 15-19.
WANG Pengyu, GAO Bo, QIAN Zheng, GONG Min, TAN Ping. A 8-Bit High Speed Successive Approximation Analog-to-Digital Converter[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(9): 15-19.
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一种兼容SMBus协议的I2C总线控制器的设计
王芬芬, 冯海英, 丁 柯
为了满足片上系统（SOC，System On Chip）中高性能且低成本的知识产权（IP，Intelligence Property）复用技术，提出了一种兼容SMBus 2.0（SMBus，System Management Bus）协议的I2C（I2C，Inter-integrated circuit）总线控制器的设计。该设计既保证I2C和SMBus各自的功能和时序，又极大地节省了硬件资源，可广泛应用于这两者的外设通信环境中。此外，该设计基于高性能外设总线（APB，Advance Peripheral Bus）接口，采用Verilog HDL实现，可方便地集成到SOC系统中。最后，搭建仿真验证平台，验证了该I2C总线控制器的兼容性，证明其总线功能的完善性、总线时序的规范性以及总线通信的稳定性。
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王芬芬, 冯海英, 丁 柯. 一种兼容SMBus协议的I2C总线控制器的设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(9): 20-25.
WANG Fenfen, FENG Haiying, DING Ke. An I2C Bus Controller Compatible with SMBus Protocol[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(9): 20-25.
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实现接收机大动态范围的中频AGC电路设计
程龙香, 徐建华
介绍了AD公司VGA放大器AD8367的主要性能和器件特点，在此基础上，利用其内置检波器构成增益负反馈环路，设计实现了大于75 dB动态范围的中频AGC电路。该电路主要由两级串联AD8367、中间级IF放大器和四级L形宽带电阻匹配网络构成，具有自动调整电路增益以分析强弱差异信号的功能。调试过程中，对信号电平和输入输出匹配电路进行适当调整，以达到AGC电路信号控制范围最大化的目的，最终测试结果表明电路基本能满足接收机系统性能指标的要求。
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程龙香, 徐建华. 实现接收机大动态范围的中频AGC电路设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(9): 26-28.
CHENG Longxiang, XU Jianhua. Design of IF AGC Circuitfor Large Dynamic Range Receiver[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(9): 26-28.
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宽带发射组件相位线性度改善技术研究
陈晓青, 吕 伟
宽带雷达系统对发射通道的相位线性度的要求越来越高，而组件的发射通道往往工作在深饱和状态，幅度和相位都出现非线性压缩。介绍了一种可有效改善组件相位非线性度的设计方法，通过对已有功率芯片进行非线性建模，利用软件负载牵引法找出功放单片的最佳线性相位点，并针对此点进行二次匹配。将设计结果应用于实际产品，测试结果验证了使用此设计方法可有效改善宽带T/R组件相位非线性度。
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陈晓青, 吕 伟. 宽带发射组件相位线性度改善技术研究[J]. 电子与封装, 2018, 18(9): 29-32.
CHEN Xiaoqing, LV Wei. Investigation of Phase Nonlinear Distortion in Wideband Transmit Module[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(9): 29-32.
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低电容TVS用常压外延工艺研究
仲张峰, 尤晓杰, 王银海, 邓雪华, 魏建宇, 杨 帆
低电容瞬态电压抑制器（TVS）由高阻外延的雪崩二极管与低阻衬底的导引二极管组合而成。区别于常规的单片减压外延工艺，在常压外延条件、多片生长模式下，通过衬底背面的自吸硅以及低温长缓冲层工艺，有效抑制了外延过程中的自掺杂，在P型重掺衬底上生长出薄层高阻的N型外延层，降低了低电容TVS雪崩二极管的反向击穿电压，提高了浪涌抑制能力。
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仲张峰, 尤晓杰, 王银海, 邓雪华, 魏建宇, 杨 帆. 低电容TVS用常压外延工艺研究[J]. 电子与封装, 2018, 18(9): 33-35.
ZHONG Zhangfeng, YOU Xiaojie, WANG Yinhai, DENG Xuehua, WEI Jianyu, YANG Fan. Study on the AP Epitaxial Process of LCTVS Diode[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(9): 33-35.
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一种抗单粒子瞬态辐射效应的自刷新三模冗余触发器设计
曹 靓, 田海燕, 王 栋
数字集成电路在宇宙空间中会受到单粒子效应的影响，随着半导体工艺的进步，器件尺寸不断缩小，单粒子效应也越发显著。单粒子瞬态脉冲对电路的影响随着电路工作主频越来越高也变得越发严重，甚至可能使电路功能完全失效。在自刷新三模冗余触发器设计的基础上，进行了抗单粒子瞬态辐射效应加固设计，增强了原设计的自刷新三模冗余触发器的抗单粒子瞬态脉冲的能力，为以后研制抗辐射数字电路奠定了基础，提供了良好的借鉴。
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曹 靓, 田海燕, 王 栋. 一种抗单粒子瞬态辐射效应的自刷新三模冗余触发器设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(9): 36-38.
CAO Liang, TIAN Haiyan, WANG Dong. Design of Single-Event Transient Hardened Triple Modular Redundancy Flip-flop with Self-refresh[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(9): 36-38.
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一种宽带径向功率合成器的设计
王仁军, 喻先卫, 韩 煦, 王荣达, 成海峰, 徐建华
提出了一款10路宽带径向功率合成器，合路器带宽覆盖6~18 GHz。通过采用微带探针以及同轴渐变波导，实现了宽带的微带-同轴的过渡结构。合成器在带内的仿真结果显示，驻波系数＜1.7、插损＜1 dB。
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王仁军, 喻先卫, 韩 煦, 王荣达, 成海峰, 徐建华. 一种宽带径向功率合成器的设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(9): 39-41.
WANG Renjun, YU Xianwei, HAN Xu, WANG Rongda, CHENG Haifeng, XU Jianhua. A 6~18 GHz Wide Band Combiner[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(9): 39-41.
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一种提高掩模条宽（CD）性能方法的研究
刘维维, 尤 春, 季书凤, 胡 超
提出了一种提高相移掩模（PSM）条宽偏差（CD MTT, mean to target）精度的方法。在掩模制备过程中，条宽偏差的影响因素很多，基板材质、图形以及工艺过程均会对CD MTT产生影响。研究中提出了减小掩模工艺过程中CD MTT的方法，通过对相移层蚀刻前金属层CD进行测量，评估计算对金属层进行加蚀刻，实现对PSM掩模最终CD MTT的控制。同时确定了图形密度对CD MTT的影响，有效地提高了PSM掩模条宽性能。
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刘维维, 尤 春, 季书凤, 胡 超. 一种提高掩模条宽（CD）性能方法的研究[J]. 电子与封装, 2018, 18(9): 42-44.
LIU Weiwei, YOU Chun, JI Shufeng, HU Chao. Study for Improvement in Mask Critical Dimension Performance[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(9): 42-44.
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MTM反熔丝薄膜单项工艺DOE试验设计开发方法
郑若成, 曾庆平, 吴素贞, 王印权, 吴建伟, 徐海铭, 洪根深
MTM（Metal To Metal）反熔丝薄膜工艺是反熔丝工艺的关键技术。介绍了MTM反熔丝薄膜单项工艺开发采用的DOE（Design Of Experiment)试验方法。基于CVD（Chemical Vapor Deposition）工艺，通过对射频RF、气体1流量以及基座间距进行DOE试验设计，以厚度均匀性、折射率以及应力等工艺参数响应，并通过容宽验证，完成了反熔丝薄膜主要参数的工艺菜单开发。主要提供一种采用DOE试验设计进行单项工艺开发的方法，为科研生产工作中各种关键单项工艺开发提供参考和借鉴。
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郑若成, 曾庆平, 吴素贞, 王印权, 吴建伟, 徐海铭, 洪根深. MTM反熔丝薄膜单项工艺DOE试验设计开发方法[J]. 电子与封装, 2018, 18(9): 45-48.
ZHENG Ruocheng, ZENG Qingping, WU Suzhen, WANG Yinquan, WU Jianwei, XU Haiming, HONG Genshen. The Design of Experiment (DOE) Method for MTM Anti-fuse Film Process Development[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(9): 45-48.
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