摘要: 业内常用静态随机存储器(SRAM)物理不可克隆函数(PUF)通过片上SRAM上电初始状态的固有物理特性生成系统安全密钥。但在系统不能充分掉电的情况下,片上集成SRAM上电后保持了上次掉电前的状态,无法生成固有的物理特性密钥。提出了一种在系统不能充分掉电情况下的电源控制电路,确保SRAM单元充分掉电,从而保证片上SRAM上电初始状态的物理特性。
中图分类号:
高国平;赵维林. 片上SRAM物理不可克隆函数特性优化设计[J]. 电子与封装, 2022, 22(7):
070302 .
GAO Guoping, ZHAO Weilin. OptimalDesign of Physically Unclonable Function Characteristics of On-Chip SRAM[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(7):
070302 .