摘要: 对薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器晶圆制造过程中的关键工艺——底电极图形化工艺进行了研究。通过优化光刻工艺中的焦面和曝光量,制作出了角度约为50°的胶图形;同时调整干法刻蚀设备的工艺参数,实现了角度为10.91°的底电极侧壁斜坡形貌结构,为FBAR滤波器的芯片制造工艺研究打下基础。
中图分类号:
倪烨;任秀娟;段英丽;张智欣;陈长娥;于海洋;孟腾飞. FBAR滤波器的底电极图形化工艺研究[J]. 电子与封装, 2023, 23(5):
050401 .
NI Ye, REN Xiujuan, DUAN Yingli, ZHANG Zhixin, CHEN Chang’e, YU Haiyang, MENG Tengfei. Study on the Bottom ElectrodeGraphic Technology ofFBARFilter[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(5):
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