中国半导体行业协会封装分会会刊

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电子与封装 ›› 2023, Vol. 23 ›› Issue (8): 080302 . doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0108

• 电路与系统 • 上一篇    下一篇

兼容TTL电平的高速CMOS端口电路设计

邱旻韡;黄登华;屈柯柯   

  1. 中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏 无锡? 214035
  • 收稿日期:2023-03-02 出版日期:2023-08-24 发布日期:2023-08-24
  • 作者简介:邱旻韡(1986—),男,江苏无锡人,硕士,工程师,现从事模拟集成电路设计工作。

TTL-Level Compatible High-Speed CMOS Port Circuit Design

QIU Minwei,HUANG Denghua, QU Keke   

  1. China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute,Wuxi 214035, China
  • Received:2023-03-02 Online:2023-08-24 Published:2023-08-24

摘要: 基于0.8μm CMOS工艺设计了全新的兼容晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平的高速CMOS端口电路,该端口电路不仅可以实现与TTL兼容的输入电平,还具有传输延迟时间短的优点。电路工作温度为-55~125℃。电路在工作电压为5V时,输入翻转电平为1.3V,传输上升延迟时间小于1ns,下降延迟时间小于1ns。

关键词: TTL电平兼容, 高速CMOS端口电路, 传输延迟时间

Abstract: Based on the 0.8 μm CMOS process, a new transistor-transistor-logic (TTL) level compatible high-speed CMOS port circuit is designed, which not only realizes TTL-compatible input level, but also has the advantage of low transmission delay time. Circuit works at the temperature of-55-125 ℃. At 5 V operating voltage, the input flip level is 1.3 V, the transmission rise delay time is less than 1ns, and the falling delay time is less than 1 ns.

Key words: TTL level compatible, high-speed CMOS port circuit, transmission delay time

中图分类号: