摘要: 文中主要介绍了等离子干法蚀刻工艺的原理和主要的蚀刻参数。采用正交实验的方式,对影响蚀刻速率、蚀刻均匀性以及选择比的蚀刻参数进行分析和优化,最终确定最佳工艺参数,使掩模条宽均匀性提高近3 nm。
中图分类号:
华卫群;刘维维. 掩模干法蚀刻参数的优化研究[J]. 电子与封装, 2020, 20(10):
100403 .
HUA Weiqun, LIU Weiwei. Optimization of Mask Dry Etching Parameters[J]. Electronics & Packaging, 2020, 20(10):
100403 .