摘要: 介绍了一种新型的可对CMOS元器件长期贮存寿命做出评价的试验方法.对CMOS元器件样品分别进行常温贮存试验和高温贮存试验,通过常温贮存试验累积试验数据,并以此研究总结CMOS元器件长期贮存性能参数变化的规律,通过高温贮存试验加速元器件常温贮存过程,在实验过程中定期对样品器件进行测试.通过对常温贮存数据和高温加速贮存数据进行比对分析,并利用阿伦尼斯模型进行数据处理,从而在较短的时间内对元器件长期贮存寿命做出评价.
中图分类号:
刘士全,徐超,秦晨飞,王健军. 一种新型CMOS器件长期贮存寿命评价试验方法[J]. 电子与封装, 2016, 16(6):
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LIU Shiquan,XU Chao,QIN Chenfei,WANG Jianjun. A New Evaluation Test for Long Storage Life of CMOS Component[J]. Electronics & Packaging, 2016, 16(6):
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