CMOS工艺中等离子体损伤WAT方法研究

电子与封装 ›› 2016, Vol. 16 ›› Issue (6): 31 -35.

CMOS工艺中等离子体损伤WAT方法研究

陈培仓,徐政,李俊

中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035

收稿日期:2016-03-28 出版日期:2016-06-20 发布日期:2016-06-20
作者简介:陈培仓(1981-),男,江苏连云港人,2005年毕业于西安电子科技大学微电子学专业,工程师,现在中国电子科技集团公司第五十八研究所主要从事产品研发工作.

Studies on Testing Plasma Damages in WAT in CMOS Technology

CHEN Peicang,XU Zheng,LI Jun

China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute,Wuxi 214035,China

Received:2016-03-28 Online:2016-06-20 Published:2016-06-20

摘要/Abstract

摘要： WAT(Wafer Accept Test)即硅圆片接收测试,就是在半导体硅片完成所有的制程工艺后,对硅圆片上的各种测试结构进行电性测试,它是反映产品质量的一种手段,是产品入库前对wafer进行的最后一道质量检验.随着半导体技术的发展,等离子体工艺已广泛应用于集成电路制造中,离子注入、干法刻蚀、干法去胶、UV辐射、薄膜淀积等都可能会引入等离子体损伤,而常规的WAT结构无法监测,可能导致器件的早期失效.设计了新的针对离子损伤的WAT检测结构,主要是缩小了栅端面积,在相同天线比的情况下天线所占面积呈几何级下降,使得评价结构放置在划片区变得可能.

关键词: CMOS;WAT;等离子体;损伤;半导体工艺

Abstract: WAT tests wafers after accomplish all semiconductor technologies to monitor the quality of products and serves as the last quality testing before delivery.Along with the development of semiconductor technology,plasma technologies have been widely applied in IC manufacturing.Ion implantation,dry etch and UV radiation may bring plasma damages that cannot be found using normal WAT and cause early failure.The article designs a new WAT structure to monitor plasma damages by reducing GATE oxide area,which dramatically reduces antenna area and enables evaluation placement.

Key words: CMOS, WAT, plasma, damage, semiconductor process

中图分类号:

TN307

陈培仓,徐政,李俊. CMOS工艺中等离子体损伤WAT方法研究[J]. 电子与封装, 2016, 16(6): 31 -35.

CHEN Peicang,XU Zheng,LI Jun. Studies on Testing Plasma Damages in WAT in CMOS Technology[J]. Electronics & Packaging, 2016, 16(6): 31 -35.

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