MTM反熔丝单元的辐照特性研究

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0050

电子与封装 ›› 2017, Vol. 17 ›› Issue (4): 34 -38. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0050

MTM反熔丝单元的辐照特性研究

王印权，郑若成，徐海铭，吴素贞，洪根深

中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡 214072

收稿日期:2016-11-23 出版日期:2017-04-20 发布日期:2017-04-20
作者简介:王印权（1986—），男，河南省鲁山县人，毕业于西北工业大学材料专业，2013年获得工学硕士学位，工程师，现就职于中国电子科技集团公司第58研究所，主要从事微电子领域中MTM反熔丝工艺及可靠性研究工作。

TID Effect on MTM Anti-fuse Cell

WANG Yinquan,ZHENG Ruocheng,XU Haiming,WU Suzhen,HONG Genshen

China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute,Wuxi 214072,China

Received:2016-11-23 Online:2017-04-20 Published:2017-04-20

摘要/Abstract

摘要： 对MTM反熔丝单元的总剂量辐照特性进行了研究，对未编程和编程后两种状态的反熔丝单元在不同电压偏置条件下进行总剂量辐照（Co60-γ射线），辐照总剂量为2 Mrad（Si）。辐照试验结果显示，未编程状态下的MTM反熔丝单元的电压-电流特性曲线基本保持不变，漏电流变化率小于10%。编程后反熔丝单元的电阻特性保持不变，并且编程电阻大小对辐照试验结果无显著影响。试验结果表明，MTM反熔丝单元的抗总剂量（Co60-γ射线）辐照能力达到2 Mrad（Si）以上。

关键词: MTM, 反熔丝, 总剂量效应

Abstract: The paper studies the TID effect of MTM antifuse cell.Different voltage bias are applied on the un-programmed and programmed MTM antifuse cells in the TID environment with total ion dose up to 2 Mrad(Si).The experiment result shows that TID radiation has no marked effect on the unprogrammed antifuse.The I-V curve remains stable with leakage current change rate less than 10%.The resistance value of programmed antifuse remains unchanged.TID radiation's influence on the different resistance value is not noticeable.The TID irradiation of MTM anti-fuse cell reaches 2 Mrad(Si).

Key words: MTM, antifuse, total ion dose

中图分类号:

TN307

王印权，郑若成，徐海铭，吴素贞，洪根深. MTM反熔丝单元的辐照特性研究[J]. 电子与封装, 2017, 17(4): 34 -38.

WANG Yinquan,ZHENG Ruocheng,XU Haiming,WU Suzhen,HONG Genshen. TID Effect on MTM Anti-fuse Cell[J]. Electronics & Packaging, 2017, 17(4): 34 -38.

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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