体硅CMOS集成电路抗辐射加固设计技术

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0109

电子与封装 ›› 2016, Vol. 16 ›› Issue (9): 40 -43. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0109

体硅CMOS集成电路抗辐射加固设计技术

米　丹，左玲玲

中国电子科技集团公司第58研究所，江苏无锡 214035

收稿日期:2016-05-20 出版日期:2016-09-20 发布日期:2016-09-20
作者简介:米　丹（1976—），女，辽宁绥中人，毕业于西安电子科技大学微电子技术专业，东南大学工程硕士，现就职于中国电子科技集团公司第58研究所，从事抗辐射集成电路设计研究工作。

Study of Radiation Hardening Technology of Bulk CMOS Integrated Circuits

MI Dan,ZUO Lingling

China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute，Wuxi 214035，China

Received:2016-05-20 Online:2016-09-20 Published:2016-09-20

摘要/Abstract

摘要： 首先介绍了空间辐射环境，并对各种辐射效应及其损伤机理进行分析。然后对体硅CMOS集成电路的电路结构、抗辐射加固技术和版图设计抗辐射加固技术进行探索。测试结果表明，采用版图加固抗辐射技术可以使体硅CMOS集成电路的抗辐射性能得到明显提升。

关键词: 体硅CMOS集成电路, 总剂量效应, 单粒子效应, 电路结构加固, 版图设计加固

Abstract: The paper overviews space radiation environment and various radiation effects and damage mechanisms to explore the radiation hardening technology in circuit structure and layout design.The test result illustrates that the radiation hardening performance of bulk CMOS integrated circuit is greatly improved.

Key words: bulk CMOS integrated circuit, total ionizing dose effect, single event effect, radiation hardening of circuit structure, radiation hardening of layout design

中图分类号:

TN402

米　丹，左玲玲. 体硅CMOS集成电路抗辐射加固设计技术[J]. 电子与封装, 2016, 16(9): 40 -43.

MI Dan,ZUO Lingling. Study of Radiation Hardening Technology of Bulk CMOS Integrated Circuits[J]. Electronics & Packaging, 2016, 16(9): 40 -43.

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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Study of Radiation Hardening Technology of Bulk CMOS Integrated Circuits

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