功率MOSFET器件栅电荷测试与分析

电子与封装 ›› 2016, Vol. 16 ›› Issue (6): 21 -23.

功率MOSFET器件栅电荷测试与分析

张文涛,皓月兰

中国电子科技集团公司第47研究所,沈阳110032

收稿日期:2016-03-03 出版日期:2016-06-20 发布日期:2016-06-20
作者简介:张文涛(1983-),辽宁省凌源县人,毕业于沈阳工程学院,现就职于中国电子科技集团公司第四十七研究所,主要研究方向为元器件测试.

Test and Analysis of Gate Charge in MOSFET

ZHANG Wentao,HAO Yuelan

China Electronics Technology Group Corporation No.47 Research Institute,Shenyang 110032,China

Received:2016-03-03 Online:2016-06-20 Published:2016-06-20

摘要/Abstract

摘要： 栅电荷是表征功率MOSFET器件动态特性的重要参数之一,其测试结果与时间和频率有关,受分布参数、测试夹具和电路结构等因素影响较大.其参数直接影响器件整体性能,设计不好将导致器件没使用时已击穿甚至损坏,在军用功率MOSFET器件研制生产和使用验收中列为必测参数.随着对MOSFET器件可靠性要求的不断提高,栅电荷的测试重要性凸显.针对目前国内外栅电荷测试现状及存在的问题做了详尽阐述,为国内的栅电荷测试提供一定的参考和指导.

关键词: 场效应晶体管;栅电荷;测试;可靠性

Abstract: Gate charge is one of the most important parameters of MOSFET.The test result of gate charge is mainly subject to time and frequency,and may be affected by distributed parameters,sockets and configurations.The gate charge reflects the overall performance of the component and is a required item in testing military MOSFET components.The increasing strictness of reliability requirements of MOSFET components bring new challenge to gate charge test.The article introduces the present situation and existing problems in gate charge test in the world.

Key words: MOSFET, gate charge, test, reliability

中图分类号:

TN307

张文涛,皓月兰. 功率MOSFET器件栅电荷测试与分析[J]. 电子与封装, 2016, 16(6): 21 -23.

ZHANG Wentao,HAO Yuelan. Test and Analysis of Gate Charge in MOSFET[J]. Electronics & Packaging, 2016, 16(6): 21 -23.

[1]	葛华,王银海,杨帆,尤晓杰. 大尺寸厚层硅外延片表面滑移线缺陷检验研究[J]. 电子与封装, 2024, 24(7): 70403-.
[2]	张永华,曲芳,何浒澄. 国产电容器的质量评价方法[J]. 电子与封装, 2024, 24(3): 30202-.
[3]	朱峻岩;张优;王鹏;黄伟;张卫;邱一武;周昕杰. GaN器件辐照效应与LDO电路的单粒子敏感点协同设计研究^*[J]. 电子与封装, 2024, 24(1): 10404-.
[4]	邱金朋, 沈竞宇. GaN HEMT热阻测试技术研究[J]. 电子与封装, 2023, 23(11): 110104-.
[5]	田文超,田明方,庄章龙,赵静榕. 基于立体视觉的IGBT针高检测[J]. 电子与封装, 2023, 23(10): 100206-.
[6]	田健;廖登华;李永梅;马清桃. 双层基板塑封器件的声扫检查方法研究[J]. 电子与封装, 2023, 23(4): 40204-.
[7]	罗宏伟, 周帅, 马凌志, 项舰, 罗捷. 现代元器件尺寸测量方法[J]. 电子与封装, 2020, 20(6): 60101-.
[8]	彭荣. OLED 封装薄膜水汽透过率测试方法研究[J]. 电子与封装, 2020, 20(2): 20203-.
[9]	石君, 张谦, 裴丹丹. 基于自动测试系统实现系统级芯片异步信号测试[J]. 电子与封装, 2020, 20(2): 20204-.
[10]	韩新峰. 针压敏感芯片圆片测试探索[J]. 电子与封装, 2020, 20(1): 10105-.
[11]	潘文宾，黄宇程，王银海，杨帆. 高压大功率FRD用硅外延片厚度测量方法[J]. 电子与封装, 2019, 19(12): 46-50.
[12]	杨婷，崔海龙. 基于自动测试仪的阻抗测试方法[J]. 电子与封装, 2019, 19(7): 13-15.
[13]	李小亮，何　静. 通用印制线路板对芯片老化工艺效率提升的研究[J]. 电子与封装, 2018, 18(10): 17-20.
[14]	武乾文，奚留华，张凯虹. 基于ATE的ADSP测试[J]. 电子与封装, 2018, 18(6): 12-16.
[15]	章慧彬. 测试成本的挑战及对策[J]. 电子与封装, 2018, 18(5): 5-7.

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊