基于Ge2Sb2Te5存储介质的相变存储器疲劳特性分析

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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基于Ge2Sb2Te5存储介质的相变存储器疲劳特性分析

李　莹，詹奕鹏，王　蕾

Endurance Analysis of Ge2Sb2Te5-based Phase Change Memory

LI Ying，ZHAN Yipeng，WANG Lei

电子与封装 . 2016, (8): 41 -43 . DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0097