磁耦数字隔离器陶瓷封装技术研究

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0805

电子与封装 ›› 2020, Vol. 20 ›› Issue (8): 080202 . doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0805

磁耦数字隔离器陶瓷封装技术研究

敖国军^1，2，廖小平^1，2，杨兵^1，2

1.中科芯集成电路有限公司，江苏无锡 214072；2.无锡中微高科有限公司，江苏无锡 214035

接受日期:2020-03-17 出版日期:2020-08-25 发布日期:2020-04-10
作者简介:敖国军（1981—），男，江西抚州人，毕业于北京理工大学，硕士，高级工程师，现主要从事电子封装技术研究工作，参与多项课题研究。

Study on Ceramic Package for Magnetic Coupling Digital Isolator

AO Guojun^{1, 2}, LIAO Xiaoping^{1, 2}, YANG Bing^{1, 2}

1. China Key System & Integrated Circuit Co., Ltd., Wuxi 214072, China; 2. WuXi Zhongwei High-Tech Electronics Co., Ltd., Wuxi 214035, China

Accepted:2020-03-17 Online:2020-08-25 Published:2020-04-10

摘要/Abstract

摘要： 研究磁耦数字隔离器的陶瓷封装技术，分析了金丝球焊、硅铝丝楔焊经高温贮存后键合强度和键合失效模式的变化对可靠性的影响以及微变压器线圈压焊点的距离、腔体的压力、腔体里的气体种类对隔离电压的影响。研究结果表明，硅铝丝楔焊的可靠性更高；微变压器线圈压焊点的距离越大，腔体的压力越大，隔离电压越大；腔体内为电负性气体的隔离电压大于惰性气体。

关键词: 封装, 隔离器, 击穿电压, 隔离电压, 可靠性

Abstract: The ceramic package for magnetic coupling digital isolator is studied. The changes of bonding strength and failure mode of the gold wire ball bonding, aluminum-silicon wedge bonding for reliability were analyzed, and the pad distance of micro transformer , the press and the gas type in cavity for the isolation voltage were analyzed. The research results show that the aluminum-silicon wedge bonding has higher reliability, the pad distance is greater, the pressure is higher, and the isolation voltage is greater. The isolation voltage of the electronegative gas is higher than that of the inert gas in cavity.

Key words: package, isolator, breakdown voltage, isolation voltage, reliability

中图分类号:

TN305.94

敖国军，廖小平，杨兵. 磁耦数字隔离器陶瓷封装技术研究[J]. 电子与封装, 2020, 20(8): 080202 .

AO Guojun, LIAO Xiaoping, YANG Bing. Study on Ceramic Package for Magnetic Coupling Digital Isolator[J]. Electronics & Packaging, 2020, 20(8): 080202 .

[1]	邢正伟;许聪;丁震;陈康喜. 针对DSP的系统级封装设计和应用[J]. 电子与封装, 2022, 22(8): 80205-.
[2]	刘少红；谭淇. 芯片返修回流焊可靠性改善研究进展[J]. 电子与封装, 2022, 22(8): 80206-.
[3]	李进;邵志锋;邱松;沈伟;潘旭麒. 低翘曲BGA封装用环氧塑封料的开发与应用[J]. 电子与封装, 2022, 22(7): 70203-.
[4]	张贺;冯佳运;丛森;王尚;安荣;吴朗;田艳红. 表面贴装锡基焊点长期贮存可靠性及寿命预测研究[J]. 电子与封装, 2022, 22(7): 70201-.
[5]	崔朝探, 陈政, 杜鹏搏, 焦雪龙, 曲韩宾. X波段小型封装GaN功率放大器设计 [J]. 电子与封装, 2022, 22(6): 60202-.
[6]	杜泽晨;张一杰;张文婷;安运来;唐新灵;杜玉杰;杨霏;吴军民. 碳化硅器件封装进展综述及展望^*[J]. 电子与封装, 2022, 22(5): 50102-.
[7]	白志强, 张玉明, 汤晓燕, 沈应喆, 徐会源. 4H-SiC功率MOSFET可靠性研究进展^*[J]. 电子与封装, 2022, 22(4): 40101-.
[8]	毛臻, 张春平, 潘福跃, 顾林. 基于SiP技术的网络测量探针芯片集成设计^*[J]. 电子与封装, 2022, 22(4): 40501-.
[9]	颜炎洪;徐衡;王英华;陈旭;李守委;刘立恩. 焊接参数对Au80Sn20焊料封装孔洞和微观组织的影响[J]. 电子与封装, 2022, 22(4): 40203-.
[10]	彭荣;杨振波;王珺. 基于Al₂O₃/NEA121堆叠薄膜的水氧阻隔性能研究[J]. 电子与封装, 2022, 22(4): 40201-.
[11]	胡敏;彭俊睿. 肖特基二极管高温反向偏置失效分析与改善[J]. 电子与封装, 2022, 22(3): 30401-.
[12]	王哲;刘松坡;吕锐;陈红胜;陈明祥. 溅射覆铜陶瓷基板表面研磨技术研究^*[J]. 电子与封装, 2022, 22(3): 30201-.
[13]	李建辉;丁小聪. LTCC封装技术研究现状与发展趋势[J]. 电子与封装, 2022, 22(3): 30205-.
[14]	曹建武, 罗宁胜, Pierre Delatte, Etienne Vanzieleghem, Rupert Burbidge. 碳化硅器件挑战现有封装技术[J]. 电子与封装, 2022, 22(2): 20102-.
[15]	李逵;张志祥;杨宇军;刘敏. 封装器件多应力叠加失效仿真分析与验证[J]. 电子与封装, 2022, 22(2): 20202-.

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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Study on Ceramic Package for Magnetic Coupling Digital Isolator

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