• 电路与系统 • 下一篇
秦昌,杨清愉,胡远圣,赵桐,尤红权,葛逢春,张巍
QIN Chang, YANG Qingyu, HU Yuansheng, ZHAO Tong, YOU Hongquan, GE Fengchun, ZHANG Wei
摘要: 基于0.15 μm砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款工作频率为2 GHz~12 GHz的超宽带接收多功能芯片,片上集成了低噪声放大器、数控衰减器、数控移相器、开关、13位串口数字电路和电源调制电路,整个芯片尺寸为4.8 mm×4.35 mm。该多功能在超宽带范围内具有高移相精度、低噪声系数、低功耗等优点。测试结果表明:在2 GHz~12 GHz频带内,小信号增益大于29 dB,噪声系数小于2.5 dB,移相精度均方根值(RMS)小于3°,衰减精度RMS小于0.35 dB,芯片总功耗0.37 W。