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赵嘉铭,李良杰,曹嘉伟,周玉刚,陆海
ZHAO Jiaming, LI Liangjie, CAO Jiawei, ZHOU Yugang, LU Hai
摘要: 在单光子探测成像领域中,为了获得更高的分辨率和更快的扫描探测速度,探测器正朝着大规模阵列化和高度集成化的方向发展。为满足碳化硅探测器在高可靠线阵应用中的需求,开发了适用于高像素线阵探测器与读出电路芯片的低串扰互连工艺。采用激光加工50 μm厚不锈钢硬掩模,并通过临时键合工艺在成品电路芯片焊盘表面沉积Ti/Ni/Au层,有效解决了芯片铝焊盘与In凸点浸润差导致键合强度低和虚焊问题。优化键合压力、温度-时间曲线等工艺参数,结合半球吸嘴自适应调平解决键合不均匀引起的虚焊和短路。同时,用有限元仿真分析设计互连串扰,获得线阵规模达1×256,串扰信号幅值最低至输入信号幅值的0.1%以下。