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左标1,2,王弢1,2,李妍龙1,2,刘俊夫1,2
ZUO Biao1,2, WANG Tao1,2, LI Yanlong1,2, LIU Junfu1,2
摘要: 随着功率半导体封装技术的发展,厚膜混合集成的集成密度越来越高,线宽线间距越来越小,厚膜导体与焊盘大部分为银,特征尺寸的缩小势必会带来银迁移和可靠性的问题。研究通过光刻和溅射的方式,在厚膜陶瓷基板上沉积多种薄膜膜层形成复合膜层,改善其面向微组装场景的适用性和抗氧化性。设计试验研究厚薄膜复合膜层的结合强度与可靠性,制备出Ti/Pt/Au、WTi/Au和Au 3种不同体系薄膜与厚膜结合的复合膜层,在其上进行不同种焊料、不同焊接时间的焊接试验和键合强度评价,对焊接样品进行GJB 2438B—2017《混合集成电路通用规范》要求的QML分组考核,结果表明厚膜银导体与薄膜Ti/Pt/Au或纯Au之间的结合力表现优良,可以同时满足混合集成电路焊接、键合与可靠性需求,为厚膜高密度混合集成提供可行的膜层处理方法。