摘要: 金属外壳对光电器件的微波高频特性有重要的影响。从金属外壳的内腔结构和传输线过渡结构两个方面,对光电器件的高频特性进行改进。通过对金属外壳内腔的几何结构、传输线过渡结构进行改进,成功地将器件的衰减尖峰从14.5 GHz移至3 dB带宽之外的19.1 GHz,使器件的3 dB带宽提高了1 GHz。
中图分类号:
袁中朝, 许 健, 崔大健, 姚科明. 光电器件用金属外壳高频性能的改进[J]. 电子与封装, 2016, 16(7):
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