电子与封装

2016年第16卷第7期 pp.1 -4

高　辉, 仝良玉, 蒋长顺. 多芯片陶瓷封装的结-壳热阻分析方法[J]. 电子与封装, 2016, 16(7): 1-4.

GAO Hui, TONG Liangyu, JIANG Changshun. Studies on Analysis Method of Junction-to-Case Thermal Resistance of Ceramic Multi-chip Packaging[J]. Electronics and Packaging, 2016, 16(7): 1-4.

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LTCC生瓷层压中腔体的形变评价及控制

王运龙, 刘建军, 柳龙华, 邱颖霞, 王志勤

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0077

摘要 ( 188 )

HTML ( 115 )

PDF(3249KB) ( 124 )

以含有腔体结构的LTCC叠层生瓷为研究对象，介绍了腔体在层压形变的评价和控制方法。分析了LTCC空腔在层压时产生变形的主要影响因素。阐述了在生瓷表面上增加金属掩模板来控制腔体形变的叠层结构设计。有限元分析结果表明不锈钢掩模可使腔体边缘应变降低至无掩模时应变的1/6，并通过工艺试验验证了金属掩模板的有效性。结果表明合理的层压结构设计和恰当的层压工艺可以制作出满足尺寸精度的空腔结构。

参考文献 |

2016年第16卷第7期 pp.5 -9

王运龙, 刘建军, 柳龙华, 邱颖霞, 王志勤. LTCC生瓷层压中腔体的形变评价及控制[J]. 电子与封装, 2016, 16(7): 5-9.

WANG Yunlong, LIU Jianjun, LIU Longhua, QIU Yingxia, WANG Zhiqin. Evaluation and Control Method of Cavity Deformation in LTCC Green Tape Lamination Process[J]. Electronics and Packaging, 2016, 16(7): 5-9.

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纳米无机粒子对环氧树脂胶黏剂导热性能的影响

莫洪强, 秦会斌, 毛祥根

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0078

摘要 ( 121 )

HTML ( 4 )

PDF(1145KB) ( 100 )

鉴于环氧树脂胶黏剂导热性能已不能满足实际应用的散热要求，以环氧树脂为基体，纳米级粒子AlN、BN和Al2O3为填充物，通过填充不同质量的粒子来研究对胶黏剂导热性能的影响。结果表明，在填充质量110～120 g时，三种粒子混合配比填充其导热性能要明显高于单一粒子填充和两种粒子混合填充，在粒子质量配比为AlN∶BN∶Al2O3=2∶3∶5时，导热系数达到2.25 W·（m·K）-1。

参考文献 |

2016年第16卷第7期 pp.10 -13

莫洪强, 秦会斌, 毛祥根. 纳米无机粒子对环氧树脂胶黏剂导热性能的影响[J]. 电子与封装, 2016, 16(7): 10-13.

MO Hongqiang, QIN Huibin, MAO Xianggen. Impact of Nanoparticles on Thermal Properties of Epoxy Adhesive[J]. Electronics and Packaging, 2016, 16(7): 10-13.

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光电器件用金属外壳高频性能的改进

袁中朝, 许　健, 崔大健, 姚科明

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0079

摘要 ( 121 )

HTML ( 4 )

PDF(1655KB) ( 127 )

金属外壳对光电器件的微波高频特性有重要的影响。从金属外壳的内腔结构和传输线过渡结构两个方面，对光电器件的高频特性进行改进。通过对金属外壳内腔的几何结构、传输线过渡结构进行改进，成功地将器件的衰减尖峰从14.5 GHz移至3 dB带宽之外的19.1 GHz，使器件的3 dB带宽提高了1 GHz。

参考文献 |

2016年第16卷第7期 pp.14 -17

袁中朝, 许　健, 崔大健, 姚科明. 光电器件用金属外壳高频性能的改进[J]. 电子与封装, 2016, 16(7): 14-17.

YUAN Zhongchao, XU Jian, CUI Dajian, YAO Keming. Microwave Performance Improvement of Metal Packages for Optoelectronic Devices[J]. Electronics and Packaging, 2016, 16(7): 14-17.

电路设计

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一种嵌入式NOR Flash控制器IP的设计

解同同, 李天阳

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0080

摘要 ( 119 )

HTML ( 8 )

PDF(3475KB) ( 106 )

当前，嵌入式Flash广泛应用于嵌入式系统领域，便于系统进行软件在线更新和系统维护。嵌入式NOR Flash可以"嵌入"在芯片中作为高速缓存，对于提升芯片整体性能作用明显。传统的嵌入式NOR Flash不具备测试接口，在芯片出现工作异常时不便于对整个芯片进行故障诊断。设计并实现了一种具有片上可测试功能的嵌入式NOR Flash控制器IP。控制器主要分为控制模块与测试模块两个部分，分别对两个模块进行分析设计。经过仿真验证，控制器可以实现对NOR Flash的正常操作与片外测试功能，达到了设计目标。

参考文献 |

2016年第16卷第7期 pp.18 -21

解同同, 李天阳. 一种嵌入式NOR Flash控制器IP的设计[J]. 电子与封装, 2016, 16(7): 18-21.

XIE Tongtong, LI Tianyang. Design of an Embedded NOR Flash Controller IP[J]. Electronics and Packaging, 2016, 16(7): 18-21.

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高速SRAM编译器时序算法

黄　奔, 彭　力, 吴海宏

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0081

摘要 ( 106 )

HTML ( 3 )

PDF(1059KB) ( 53 )

介绍了一种通用嵌入式存储器（SRAM）编译器时序建模的方法。通过对存储器关键路径延时分析，时序模型采用分段拓展的建模方式，用Rows、Columns来对SRAM进行分段，分别讨论各段对时序的影响。采用双线性插值法对模型进一步优化，较大程度上提高了模型的精度。最后与ARM公司0.13 μm工艺的存储编译器进行了验证和对比。结果表明，该模型能够较为精确地描述存储编译器时序。

参考文献 |

2016年第16卷第7期 pp.22 -25

黄　奔, 彭　力, 吴海宏. 高速SRAM编译器时序算法[J]. 电子与封装, 2016, 16(7): 22-25.

HUANG Ben, PENG Li, WU Haihong. High-Speed SRAM Compiler Timing Algorithm[J]. Electronics and Packaging, 2016, 16(7): 22-25.

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一种高速LVDS接收电路的设计

胡庆成, 贺凌炜, 周晓彬

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0082

摘要 ( 124 )

HTML ( 4 )

PDF(1057KB) ( 84 )

提出了一种内置失效保护功能的高速低压差分信号（Low Voltage Differential Signaling，LVDS）接收电路。该电路不仅解决了传统电路结构在电源电压3 V或更低时不能满足LVDS标准规定的输入共模电压范围内（0.05～2.35 V）稳定工作的问题，而且还可以直接作为LVDS接口电路的输入级使用，节省了外接保护电路。基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺模型库，用spectre进行仿真，在输入共模电压范围内工作稳定，传输速率达到1 Gbps。

参考文献 |

2016年第16卷第7期 pp.26 -28

胡庆成, 贺凌炜, 周晓彬. 一种高速LVDS接收电路的设计[J]. 电子与封装, 2016, 16(7): 26-28.

HU Qingcheng, HE Lingwei, ZHOU Xiaobin. Design of a High-Speed LVDS Receiver[J]. Electronics and Packaging, 2016, 16(7): 26-28.

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一种用于OTP存储器的灵敏放大器设计

袁同伟, 潘滨, 孙杰杰, 胡晓琴

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0083

摘要 ( 146 )

HTML ( 8 )

PDF(1446KB) ( 92 )

设计了一种应用于反熔丝OTP存储器的灵敏放大器电路，该电路采用电压型灵敏放大，通过严格的读控制时序，该灵敏放大器能够准确无误地读出并锁存反熔丝存储单元的存储状态。电路结构简单、功耗低、电阻识别精度高、抗干扰能力强。仿真验证表明，在典型条件下，整个灵敏放大阶段仅需要8 ns，且满足在不同工作电压及温度条件下的工作需求。

参考文献 |

2016年第16卷第7期 pp.29 -33

袁同伟, 潘滨, 孙杰杰, 胡晓琴. 一种用于OTP存储器的灵敏放大器设计[J]. 电子与封装, 2016, 16(7): 29-33.

YUAN Tongwei, PAN Bin, SUN Jiejie, HU Xiaoqin. Design of a Sense Amplifier for OTP Memory[J]. Electronics and Packaging, 2016, 16(7): 29-33.

微电子制造与可靠性

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L波段大功率开关的研制

孟向俊, 杨　磊, 黄贞松, 宋　艳, 许　庆

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0084

摘要 ( 99 )

HTML ( 4 )

PDF(1081KB) ( 333 )

根据高功率、低插损、高隔离的要求，选择串并联电路形式对这些指标做折衷处理。采用多芯片模块组装工艺，把PIN管芯片通过焊料烧结在氮化铝基板上。相比于传统基板材料，氮化铝陶瓷基板导热性能优良，无需加装散热器，使电路尺寸减小，制作简单。实现在L波段上，通过峰值功率500 W、占空比30%的脉冲信号，插入损耗小于0.8 dB，隔离度大于35 dB。

参考文献 |

2016年第16卷第7期 pp.34 -38

孟向俊, 杨　磊, 黄贞松, 宋　艳, 许　庆. L波段大功率开关的研制[J]. 电子与封装, 2016, 16(7): 34-38.

MENG Xiangjun, YANG Lei, HUANG Zhensong, SONG Yan, XU Qing. Design of L-band Power Switch[J]. Electronics and Packaging, 2016, 16(7): 34-38.

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0.18 μm完全隔离型低导通态电阻（Low R_on）NLDMOS研究

冯喆韻, 马千成, 汪　铭

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0085

摘要 ( 157 )

HTML ( 11 )

PDF(1886KB) ( 106 )

介绍一组基于0.18 μm逻辑平台构建的低导通态电阻（Low Ron）NLDMOS。该组LDMOS涵盖10～30 V应用电压。该NLDMOS为完全隔离型，因而其源端和漏端均可以独立于衬底加偏压。针对Drift区域和Body区域分别进行结构优化，最终得到性能良好的低导通态电阻（Low Ron）NLDMOS。其导通态电阻（Ron）为4.4 mΩ·mm-2对应击穿电压（BV）～20 V，21 mΩ·mm-2对应击穿电压（BV）～41 V。

参考文献 |

2016年第16卷第7期 pp.39 -43

冯喆韻, 马千成, 汪　铭. 0.18 μm完全隔离型低导通态电阻（Low R_on）NLDMOS研究[J]. 电子与封装, 2016, 16(7): 39-43.

FENG Zheyun, MA Qiancheng, WANG Ming. Studies of 0.18 μm Fully Isolated Low R_onNLDMOS[J]. Electronics and Packaging, 2016, 16(7): 39-43.

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NAND Flash浮栅干法蚀刻工艺优化解决数据写入失效

陈　亮, 周朝锋, 李晓波

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0087

摘要 ( 123 )

HTML ( 4 )

PDF(1297KB) ( 103 )

随着移动终端的大量普及，存储器市场需求得到大幅度提升。NAND Flash以其大容量和体积小的优点，在目前的存储器市场占据着越来越重要的地位。产品良率是影响NAND Flash发展的一个重要因素。其中NAND Flash读写操作中的写入失效是良率损失最主要的原因。经分析，整合工艺的复杂性以及蚀刻制程工艺的局限性，浮栅和控制栅物理结构不完善会产生数据写入失效。着眼于对浮栅的干法蚀刻工艺进行改进，改善浮栅和控制栅物理结构，防止写入失效，从而得到最佳的良率。

参考文献 |