一种高带宽、高电源抑制比的跨阻放大器

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0606

电子与封装 ›› 2019, Vol. 19 ›› Issue (6): 020 -24. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0606

一种高带宽、高电源抑制比的跨阻放大器

周万礼，章玉飞，路统霄，胡怀志，甄少伟，张有润，张波

电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054

收稿日期:2019-03-01 出版日期:2019-06-19 发布日期:2019-06-19
作者简介:周万礼(1994—)，男，四川成都人，2016 年获南开大学学士学位，现于电子科技大学攻读硕士，目前主要研究高速光接收电路和激光三维成像雷达焦平面读出电路等。

A Trans-Impedance Amplifier with High Bandwidth and High Power Supply Rejection Ratio

ZHOU Wanli,ZHANG Yufei,LU Tongxiao,HU Huaizhi,ZHEN Shaowei,ZHANG Yourun,ZHANG Bo

State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Sciences and Technology of China,Chengdu 610054,China

Received:2019-03-01 Online:2019-06-19 Published:2019-06-19

摘要/Abstract

摘要： 光电探测器是激光雷达的核心器件，通常由雪崩光电二极管（APD）阵列和相应的读出电路组成。跨阻放大器是读出电路的关键部分，其性能在很大程度上决定光电探测组件的性能。基于0.18 μm CMOS 工艺，针对大输入电容线性APD 阵列的应用，设计了一种高增益、高带宽、高电源抑制比的跨阻放大器。基于无源反馈和有源前馈的补偿方式拓展了跨阻放大器带宽，同时实现了高增益和高带宽；设计了具有高电源抑制比的片上无电容低压差稳压器，提高了跨阻放大器的稳定性。仿真结果表明：跨阻增益为104.7 dB·Ω，带宽为198.8 MHz,等效输入噪声电流为3.65 pA·Hzpagenumber_ebook=22,pagenumber_book=20，低频电源抑制比为-57.8 dB，全带宽范围内电源抑制比低于-10.6 dB。

关键词: 跨阻放大器, 高电源抑制比, 高带宽, APD 阵列读出电路

Abstract: Photodetector is the core component of LiDAR and is typically composed of avalanche diode(APD)array and corresponding readout circuits.Trans-impedance amplifier is the key block of readout circuits,and its performance determines the performance of photodetectors.For the application of large input capacitance linear APD array,a trans-impedance amplifier with high gain,high bandwidth and high power supply rejection ratio(PSRR)is designed with a 0.18 μm CMOS process.The passive feedback and active feedforward compensation method extend the trans-impedance amplifier bandwidth while achieving high gain and high bandwidth.An on-chip capacitor-less low dropout regulator with high power supply rejection ratio is designed to improve the stabilityofthe trans-impedance amplifier.Simulation results indicate that the trans-impedance gain is 104.7 dB·Ω and the bandwidth is 198.8 MHz.The equivalent input noise is 3.65 pA·Hzpagenumber_ebook=22,pagenumber_book=20.The low-frequency power supply rejection ratio is-57.8 dB,and the power supply rejection ratio is less than-10.6 dB in the full bandwidth range.

Key words: high bandwidth, APD array readout circuit, trans-impedance amplifier, high power supply rejection ratio, high bandwidth, APD array readout circuit

中图分类号:

TN402

周万礼，章玉飞，路统霄，胡怀志，甄少伟，张有润，张波. 一种高带宽、高电源抑制比的跨阻放大器[J]. 电子与封装, 2019, 19(6): 020 -24.

ZHOU Wanli,ZHANG Yufei,LU Tongxiao,HU Huaizhi,ZHEN Shaowei,ZHANG Yourun,ZHANG Bo. A Trans-Impedance Amplifier with High Bandwidth and High Power Supply Rejection Ratio[J]. Electronics & Packaging, 2019, 19(6): 020 -24.

[1]	江燕, 贺春燕, 曹正州, 张艳飞, 徐玉婷, 涂波, 刘国柱. 用于Flash型FPGA的电流读出电路^*[J]. 电子与封装, 2023, 23(4): 40301-.
[2]	陈煜海;余永涛;刘天照;刘焱;罗军;王小强. 高带宽存储器的技术演进和测试挑战^*[J]. 电子与封装, 2023, 23(2): 20205-.
[3]	余国良;陆霄;李居强;孟祥冬;孙晓冬. 基于TIADC的高速、高带宽信号采集系统^*[J]. 电子与封装, 2022, 22(11): 110304-.
[4]	黄祥林, 李富华, 宋爱武. 一种低功耗无运放结构的基准电压源设计[J]. 电子与封装, 2021, 21(11): 110303-.
[5]	郑薇，任军，尹浩，刘浩. 一种用于1.25 Gbps光接收机的跨阻放大器设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(1): 23-27.
[6]	陆锋^1,2，葛兴杰¹. 超低温漂带隙基准电压源设计[J]. 电子与封装, 2017, 17(3): 22-25.
[7]	奚冬杰，杜士才. 一种低温度系数高电源抑制比带隙基准[J]. 电子与封装, 2017, 17(12): 30-33.

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

一种高带宽、高电源抑制比的跨阻放大器

A Trans-Impedance Amplifier with High Bandwidth and High Power Supply Rejection Ratio

RichHTML

PDF

可视化

摘要/Abstract

引用本文

使用本文

参考文献

相关文章 7

编辑推荐

Metrics

本文评价