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基板型模块的直压模塑和注塑模塑分析
杨建伟
模塑是半导体封装中十分重要的工艺，不同结构特性的基板型模块对模塑工艺要求也不同。分析了基板型模块直压模塑和注塑模塑的特性及效果，包括模塑外观、翘曲、金丝冲丝以及模塑料的填充性，并对比分析不同复杂度结构的基板型模块模塑料的填充效果，发现直压模塑和注塑模塑各有优劣。直压模塑工艺的模塑料不流动特性使其在填充流动小的封装中具有明显的优势。明确了两种模塑技术的不同适用性，为不同应用中选择合适的模塑工艺方案提供指导。
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杨建伟. 基板型模块的直压模塑和注塑模塑分析[J]. 电子与封装, 2019, 19(6): 1-5.
YANG Jianwei. Study of Compression Mold and Transfer Moldon Substrate Module[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(6): 1-5.
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基于LTCC 技术的加速度计制造方法
唐小平，卢会湘，严英占
低温共烧陶瓷（LTCC）技术是实现电子设备小型化、高密度集成化的主流技术手段，可适用于耐高温、耐受恶劣环境下的特性要求。介绍了LTCC 差分电容式加速度计结构，敏感质量块和4根悬臂梁结构都内嵌于LTCC 多层基板，质量块和上下电容板之间通过印刷电极组成差分电容对。重点讨论了微机械式LTCC 基加速度计的工艺制造方法及其面临的工艺问题，实现了多款内埋质量块结构的LTCC 电容式加速度计制造。
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唐小平，卢会湘，严英占. 基于LTCC 技术的加速度计制造方法[J]. 电子与封装, 2019, 19(6): 6-8.
TANG Xiaoping,LU Huixiang,YAN Yingzhan. Fabrication Method of Accelerometer Base on LTCC Technology[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(6): 6-8.
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一种A/D 测试平台的设计
刘明峰，辛达，王炯异
具体解释了模数转换器的静态参数的定义，包括积分非线性、差分非线性等。阐述了码密度测试原理，在此基础上，设计了一套测试模数转换器静态的测试台方案。
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刘明峰，辛达，王炯异. 一种A/D 测试平台的设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(6): 9-12.
LIU Mingfeng,XIN Da，WANG Jiongyi. A Design for A/D Test Board[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(6): 9-12.
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一种高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路
张春奇，胡黎，潘溯，冯旭东，张宣，明鑫
介绍了一种应用于GaN 驱动的0.35 μm HV CMOS 工艺的高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路。该电路采用高速电流镜和双锁存结构，并增加共模抗扰辅助电路，大大提高了传输速度和对共模噪声的抗扰能力。该高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路主要用于驱动增强型GaN 的高压半桥栅驱动。仿真结果显示该电平位移电路上升沿传输延时1.03 ns，下降沿传输延时1.15 ns，可承受GaN 高压半桥栅驱动开关节点SW 处电压浮动50 V/ns。
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张春奇，胡黎，潘溯，冯旭东，张宣，明鑫. 一种高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路[J]. 电子与封装, 2019, 19(6): 12-15.
ZHANG Chunqi,HU Li,PAN Su,FENG Xudong,ZHANG Xuan,MING Xin. A High-Speed and High-Noise-Immunity Level Shifter for Gate Drive Circuit[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(6): 12-15.
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基于亚稳态检测的SAR ADC 电容失配校准算法
彭传伟，唐鹤，何生生
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彭传伟，唐鹤，何生生. 基于亚稳态检测的SAR ADC 电容失配校准算法[J]. 电子与封装, 2019, 19(6): 16-19.
PENG Chuanwei，TANG He，HE Shengsheng. SAR ADC Capacitance Mismatch Calibration Algorithm Based on Metastable Detection[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(6): 16-19.
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基于亚稳态检测的SAR ADC 电容失配校准算法
彭传伟，唐鹤，何生生
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彭传伟，唐鹤，何生生. 基于亚稳态检测的SAR ADC 电容失配校准算法[J]. 电子与封装, 2019, 19(6): 16-19.
PENG Chuanwei，TANG He，HE Shengsheng. SAR ADC Capacitance Mismatch Calibration Algorithm Based on Metastable Detection[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(6): 16-19.
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一种高带宽、高电源抑制比的跨阻放大器
周万礼，章玉飞，路统霄，胡怀志，甄少伟，张有润，张波
光电探测器是激光雷达的核心器件，通常由雪崩光电二极管（APD）阵列和相应的读出电路组成。跨阻放大器是读出电路的关键部分，其性能在很大程度上决定光电探测组件的性能。基于0.18 μm CMOS 工艺，针对大输入电容线性APD 阵列的应用，设计了一种高增益、高带宽、高电源抑制比的跨阻放大器。基于无源反馈和有源前馈的补偿方式拓展了跨阻放大器带宽，同时实现了高增益和高带宽；设计了具有高电源抑制比的片上无电容低压差稳压器，提高了跨阻放大器的稳定性。仿真结果表明：跨阻增益为104.7 dB·Ω，带宽为198.8 MHz,等效输入噪声电流为3.65 pA·Hzpagenumber_ebook=22,pagenumber_book=20，低频电源抑制比为-57.8 dB，全带宽范围内电源抑制比低于-10.6 dB。
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周万礼，章玉飞，路统霄，胡怀志，甄少伟，张有润，张波. 一种高带宽、高电源抑制比的跨阻放大器[J]. 电子与封装, 2019, 19(6): 20-24.
ZHOU Wanli,ZHANG Yufei,LU Tongxiao,HU Huaizhi,ZHEN Shaowei,ZHANG Yourun,ZHANG Bo. A Trans-Impedance Amplifier with High Bandwidth and High Power Supply Rejection Ratio[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(6): 20-24.
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低温度系数低功耗带隙基准的设计
吴庆，李富华，黄君山，侯汇宇
对带隙基准电压源的温度系数和功耗进行了分析研究，采用与绝对温度成正比（PTAT）的电流和与绝对温度互补（CTAT）的电流加权和技术，同时采用放大器工作在亚阈值区技术及运放失调补偿技术，基于0.4 μm 的CMOS 工艺设计了一个低温度系数、低功耗的基准电压电路。通过电源电压、工作温度及工艺角对基准电压影响的仿真，结果表明该带隙基准源典型的温度系数为2×10-6/℃，功耗为5.472 μW，基准电压为1.32 V，电源抑制比为83.5 dB，实现了低温度系数、低功耗特性，且电路工作稳定。
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吴庆，李富华，黄君山，侯汇宇. 低温度系数低功耗带隙基准的设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(6): 25-28.
WU Qing,LI Fuhua,HUANG Junshan,HOU Huiyu. Design of Low Temperature Coefficient and Low Power Bandgap Reference Circuit[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(6): 25-28.
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一种二次补偿的带隙电压基准
陈光华，陈俊飞，高博
为了降低带隙基准电压源的温漂系数，设计了一种采用β 倍增器电流源和IPTAT2电流源作为二次曲率补偿技术的超低温漂基准电压源。运用SMIC 0.18 μm 工艺，仿真结果表明，在-40～85 ℃，该基准电压源的温漂系数为0.336×10-6/℃,大大降低了温度对电压源的影响。
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陈光华，陈俊飞，高博. 一种二次补偿的带隙电压基准[J]. 电子与封装, 2019, 19(6): 29-31.
CHEN Guanghua,CHEN Junfei,GAO Bo. A Quadratic Compensated Bandgap Voltage Reference[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(6): 29-31.
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粒子入射条件对28 nm SRAM 单元单粒子电荷共享效应影响的TCAD 仿真研究
金 鑫，唐 民，于庆奎，张洪伟，梅 博，孙 毅，唐路平
利用器件仿真工具TCAD，建立28 nm 体硅工艺器件的三维模型，研究了粒子入射条件和器件间距等因素对28 nm 体硅工艺器件单粒子效应电荷共享的影响规律。结果表明，粒子LET 值增大、入射角度的增大、器件间距的减小和浅槽隔离(STI)深度的减少都会增加相邻器件的电荷收集，增强电荷共享效应，影响器件敏感节点产生的瞬态电流大小；SRAM 单元内不同敏感节点的翻转阈值不同，粒子LET 值和入射角度的改变会对SRAM 单元的单粒子翻转造成影响；LET 值和粒子入射位置变化时，多个SRAM 单元发生的单粒子多位翻转的位数和位置也会变化。
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金 鑫，唐 民，于庆奎，张洪伟，梅 博，孙 毅，唐路平. 粒子入射条件对28 nm SRAM 单元单粒子电荷共享效应影响的TCAD 仿真研究[J]. 电子与封装, 2019, 19(6): 32-40.
JIN Xin1,TANG Min1,YU Qingkui1,ZHANG Hongwei1,MEI Bo1,SUN Yi1,TANG Luping2. TCAD Simulation Research on the Influence of Particle Incidence Conditions on Single Event Charge Sharing Effect of 28 nm SRAM[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(6): 32-40.
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VNPN 激光辐射效应模拟分析
左慧玲，高吴昊，刘承芳，夏 云，孙 鹏，陈万军
通过仿真模拟脉冲激光对半导体器件光生载流子的影响，重点研究纵向NPN 三极管（VNPN）的激光辐照效应。光照强度较小时，只有集电结反偏，而发射结处的光生电动势不足以抵消发射结的内建电势，发射结尚未开启，器件工作在以集电结为主的二极管模式；光照强度增加时，发射结逐渐开启，器件工作在三极管模式；光照强度进一步增大，由于外部限流电阻的作用，集电极电流达到饱和，器件工作在以发射结为主的二极管模式。因此，随着光照强度的增加，VNPN 器件的激光辐射效应经历三个阶段，其响应曲线呈非线性变化。改变VNPN 的尺寸和脉冲激光的参数，会影响器件进入三极管模式的临界点，改变非线性响应的触发光照强度，体现了器件对激光辐照效应的敏感性。
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左慧玲，高吴昊，刘承芳，夏 云，孙 鹏，陈万军. VNPN 激光辐射效应模拟分析[J]. 电子与封装, 2019, 19(6): 41-46.
ZUO Huiling,GAO Wuhao,LIU Chengfang,XIA Yun,SUN Peng,CHEN Wanjun. Simulation Analysis of Laser Irradiation Effect of VNPN Transistor[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(6): 41-46.
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大脉宽高效率S 波段功率放大器的研制
陈晓青，章勇佳，时晓航
采用内匹配的技术，利用了GaN HEMT 功率芯片研制了一款应用在S 波段的大脉宽、大功率、高效率的功率放大器。放大器最终实现了1 ms 脉宽、30%占空比、在600 MHz 的带宽下脉冲输出功率大于150W、附加效率大于55%的设计目标，印证了GaN 功率器件的优越性能和广泛应用前景。
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陈晓青，章勇佳，时晓航. 大脉宽高效率S 波段功率放大器的研制[J]. 电子与封装, 2019, 19(6): 47-50.
CHEN Xiaoqing,ZHANG Yongjia,SHI Xiaohang. Manufacture of S Band Wide Pulse-Width Power Amplifier with High Efficiency[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(6): 47-50.
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