摘要: 抗辐射单元库是快速完成抗辐射数字电路设计的基础。基于0.18 μm加固工艺总剂量及单粒子效应加固策略,从单元库规格制定、逻辑与版图设计、单元库特征参数提取及布局布线文件抽取、单元库设计套件质量保证到最终硅验证,完成了抗辐射单元库的全流程开发。抗辐射单元库在速度、面积、功耗及抗辐射性能4个方面表现出良好的均衡性,具有广泛的应用前景。
中图分类号:
姚进;左玲玲;周晓彬;刘谆;周昕杰. 基于0.18 μm加固工艺的抗辐射单元库开发[J]. 电子与封装, 2021, 21(8):
080303 .
YAO Jin, ZUO Linlin, ZHOU Xiaobin, LIU Zhun, ZHOU Xinjie. Radiation HardenedLibrary Development Based on 0.18μmCMOS Radiation-Hardening Process[J]. Electronics & Packaging, 2021, 21(8):
080303 .