摘要: 为满足高速高精度射频电路要求,设计了一款新型带高温曲率补偿的低温漂、高电源抑制比的带隙基准电压源。为避免运放的失调电压对基准源精度产生影响,电路没有采用运放结构生成基准电压。利用双极型晶体管基极-发射极电压VBE的负温度特性,在高温时对基准电压进行曲率补偿,减小基准电压的温漂。电路基于180 nm BiCMOS工艺线,采用Cadence仿真验证。在-40~85 ℃温度范围内,5 V电源电压下,温度系数为5.7×10-6/℃,电源电压抑制比可达到88 dB。
中图分类号:
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