一种二次补偿的带隙电压基准

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0608

电子与封装 ›› 2019, Vol. 19 ›› Issue (6): 029 -31. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0608

一种二次补偿的带隙电压基准

陈光华¹，陈俊飞²，高博²

1.四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室，成都 610064；2.四川邮电职业技术学院，成都 610066

收稿日期:2019-01-08 出版日期:2019-06-19 发布日期:2019-06-19
作者简介:陈光华（1980—），男，四川成都人，硕士研究生，四川邮电职业技术学院讲师，通信工程师，从事指纹识别算法、芯片系统架构研究与实现方面的工作。

A Quadratic Compensated Bandgap Voltage Reference

CHEN Guanghua¹,CHEN Junfei²,GAO Bo²

1.Sichuan key Laboratory of Microelectronics,College of Physics and Technology,Sichuan University，Chengdu 610064,China；2.Sichuan Vocational College of Posts and Telecommunications,Chengdu 610066,China

Received:2019-01-08 Online:2019-06-19 Published:2019-06-19

摘要/Abstract

摘要： 为了降低带隙基准电压源的温漂系数，设计了一种采用β 倍增器电流源和IPTAT²电流源作为二次曲率补偿技术的超低温漂基准电压源。运用SMIC 0.18 μm 工艺，仿真结果表明，在-40～85 ℃，该基准电压源的温漂系数为0.336×10^-6/℃,大大降低了温度对电压源的影响。

关键词: 带隙基准, 温度系数, β 倍增器电流源, IPTAT²电流源

Abstract: In order to reduce the temperature drift coefficient of the bandgap reference voltage source，an ultra-low temperature drift reference voltage source was designed using a beta multiplier current source and an IPTAT² current source as a quadratic curvature compensation technique.The simulation results of SMIC 0.18 μm process show that the temperature drift coefficient of the reference voltage source is 0.336×10^-6/℃at-40～85 ℃,which greatly reduces the influence of temperature on the voltage source.

Key words: bandgap reference, temperature system, β multiplier current source, IPTAT²current source

中图分类号:

TN402

陈光华，陈俊飞，高博. 一种二次补偿的带隙电压基准[J]. 电子与封装, 2019, 19(6): 029 -31.

CHEN Guanghua,CHEN Junfei,GAO Bo. A Quadratic Compensated Bandgap Voltage Reference[J]. Electronics & Packaging, 2019, 19(6): 029 -31.

[1]	傅铮翔,李飞. 数字隔离器的失效分析及解决对策[J]. 电子与封装, 2023, 23(9): 90204-.
[2]	胥权;赵新;龚敏;高博;Maureen Willis. 基于电阻网络修调的高精度基准源[J]. 电子与封装, 2022, 22(7): 70303-.
[3]	吴舒桐, 孔玉礼, 王祖锦. 一种带曲率补偿的低温漂带隙基准源设计[J]. 电子与封装, 2022, 22(10): 100307-.
[4]	宋爱武,李富华,黄祥林,孙波. 一种基于Brokaw带隙基准上电复位电路的设计[J]. 电子与封装, 2021, 21(1): 10302-.
[5]	陈书明;林恒. 小型化脉冲调制介质振荡电路研究[J]. 电子与封装, 2020, 20(9): 90303-.
[6]	常伟，张梅，李珂. 斜率可调的ARINC429总线驱动器设计[J]. 电子与封装, 2020, 20(8): 80303-.
[7]	殷嘉琳¹，李富华¹，黄君山²，侯汇宇². 一种高电源抑制比带隙基准电压源的设计[J]. 电子与封装, 2020, 20(1): 10202-.
[8]	吴庆，李富华，黄君山，侯汇宇. 低温度系数低功耗带隙基准的设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(6): 25-28.
[9]	李娟, 张海波, 李健, 屈柯柯, 常红. 一种带有温漂修调的二阶曲率补偿基准源电路^*[J]. 电子与封装, 2019, 19(11): 26-30.
[10]	都文和，刘　睿，程秀娟，杨占宇. 一种新型温度补偿方式的带隙基准电压源[J]. 电子与封装, 2019, 19(10): 39-43.
[11]	杜士才，方　芳，李　娟. 一种无运放输出可调的带隙基准电压源设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(8): 33-35.
[12]	阮建新, 肖培磊. 一种新型无运放的带隙基准电路[J]. 电子与封装, 2018, 18(4): 10-12.
[13]	童伟，任军. 高速光接收机中低温漂基准电压源设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(12): 21-25.
[14]	罗治民，刘伯权，郭佳佳. 低温漂高抑制比带隙基准电压源设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(12): 26-29.
[15]	蒋祥倩，杜西亮，毕克娜，邹丰谦. 一种曲率补偿的带隙基准电压源设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(11): 25-29.

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

一种二次补偿的带隙电压基准

A Quadratic Compensated Bandgap Voltage Reference

RichHTML

PDF

可视化

摘要/Abstract

引用本文

使用本文

参考文献

相关文章 15

编辑推荐

Metrics

本文评价