低温度系数低功耗带隙基准的设计

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0607

电子与封装 ›› 2019, Vol. 19 ›› Issue (6): 025 -28. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0607

低温度系数低功耗带隙基准的设计

吴庆¹，李富华¹，黄君山²，侯汇宇²

1.苏州大学，江苏苏州 215000；2.格美芯微电子有限公司，江苏苏州 215000

收稿日期:2019-02-20 出版日期:2019-06-19 发布日期:2019-06-19
作者简介:吴庆（1993—），男，江苏泰州人，硕士研究生，研究方向为模拟集成电路的设计与分析。

Design of Low Temperature Coefficient and Low Power Bandgap Reference Circuit

WU Qing¹,LI Fuhua¹,HUANG Junshan²,HOU Huiyu²

1.Soochow University,Suzhou 215000,China；2.Gemeixin Microelectronics Co.,Ltd.,Suzhou 215000,China

Received:2019-02-20 Online:2019-06-19 Published:2019-06-19

摘要/Abstract

摘要： 对带隙基准电压源的温度系数和功耗进行了分析研究，采用与绝对温度成正比（PTAT）的电流和与绝对温度互补（CTAT）的电流加权和技术，同时采用放大器工作在亚阈值区技术及运放失调补偿技术，基于0.4 μm 的CMOS 工艺设计了一个低温度系数、低功耗的基准电压电路。通过电源电压、工作温度及工艺角对基准电压影响的仿真，结果表明该带隙基准源典型的温度系数为2×10^-6/℃，功耗为5.472 μW，基准电压为1.32 V，电源抑制比为83.5 dB，实现了低温度系数、低功耗特性，且电路工作稳定。

关键词: 带隙基准电压, PTAT 电流, CTAT 电流, 温度系数

Abstract: The temperature coefficient and power consumption of the bandgap reference voltage source are analyzed.The current proportional to absolute temperature (PTAT)and the current-weighted summation technique with absolute temperature complementation (CTAT)are used,while the amplifier is operated at the subthreshold zone technology and op amp offset compensation technology,based on 0.4 μm CMOS process technology,a low temperature coefficient low power reference voltage circuit is designed.The simulation results of the influence of power supply voltage,operating temperature and process angle on the reference voltage show that the typical temperature coefficient of the bandgap reference source is 2×10^-6/℃,the power consumption is 5.472 μW,the reference voltage is 1.32 V,and the power supply rejection ratio is 83.5 dB,which realize low temperature coefficient and low power consumption,and the circuit works stably.

Key words: bandgap reference voltage, PTAT current, CTAT current, temperature coefficient

中图分类号:

TN402

吴庆，李富华，黄君山，侯汇宇. 低温度系数低功耗带隙基准的设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(6): 025 -28.

WU Qing,LI Fuhua,HUANG Junshan,HOU Huiyu. Design of Low Temperature Coefficient and Low Power Bandgap Reference Circuit[J]. Electronics & Packaging, 2019, 19(6): 025 -28.

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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Design of Low Temperature Coefficient and Low Power Bandgap Reference Circuit

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