Ku波段200 W GaN功率放大器的设计与实现

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.1112

电子与封装 ›› 2022, Vol. 22 ›› Issue (11): 110307 . doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.1112

Ku波段200 W GaN功率放大器的设计与实现

苏鹏;顾黎明;唐世军;周书同

南京电子器件研究所，南京 210016

收稿日期:2022-04-24 出版日期:2022-11-29 发布日期:2022-07-26
作者简介:苏鹏（1990—），男，四川广安人，硕士，工程师，主要研究方向为微波功率放大器和功放模块。

Design and Implementation of 200 W GaN Power Amplifier in Ku-Band

SU Peng, GU Liming, TANG Shijun, ZHOU Shutong

NanjingElectronic Devices Institute, Nanjing210016, China

Received:2022-04-24 Online:2022-11-29 Published:2022-07-26

摘要/Abstract

摘要： 研制了一款工作在Ku波段的大功率GaN功率放大器，功放采用4个栅宽为9.6 mm的GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）进行功率合成，总栅宽为38.4 mm。以提取的小信号S参数和大信号负载牵引结果为依据，采用ADS仿真软件进行匹配电路仿真设计。该GaN功放在14.5～15.0 GHz频率范围内的输出功率（P_out）大于200 W，功率增益（G_p）大于7 dB，最高功率附加效率（η_PAE）达到43%。

关键词: Ku波段, GaN, 大功率, 功率放大器

Abstract: A high-power GaN power amplifier operating in Ku-band has been developed. The amplifier uses four GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with a gate width of 9.6 mm for power synthesis and a total gate width of 38.4 mm. Based on the extracted small signal S parameters and large signal load-pull measurement results, the matching circuit is simulated and designed using ADS simulation software. The GaN amplifier has an output power (P_out) greater than 200 W, a power gain (G_p) greater than 7 dB, and a maximum power added efficiency (η_PAE) of 43% in the frequency range of 14.5-15.0 GHz.

Key words: Ku-band, GaN, high power, power amplifier

中图分类号:

TN325⁺.3

苏鹏;顾黎明;唐世军;周书同. Ku波段200 W GaN功率放大器的设计与实现[J]. 电子与封装, 2022, 22(11): 110307 .

SU Peng, GU Liming, TANG Shijun, ZHOU Shutong. Design and Implementation of 200 W GaN Power Amplifier in Ku-Band[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(11): 110307 .

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中国半导体行业协会封装分会会刊

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Design and Implementation of 200 W GaN Power Amplifier in Ku-Band

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