肖特基二极管高温反向偏置失效分析与改善

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0310

电子与封装 ›› 2022, Vol. 22 ›› Issue (3): 030401 . doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0310

肖特基二极管高温反向偏置失效分析与改善

胡敏;彭俊睿

乐山无线电股份有限公司，四川乐山　614000

收稿日期:2021-07-16 出版日期:2022-03-24 发布日期:2021-10-25
作者简介:胡敏(1968—)，男，四川乐山人，硕士，工程师，现从事半导体封装测试相关技术工作。

Schottky Diode HighTemperature Revise Bias Failure Analysis and Improvement

HU Min, PENG Junrui

Leshan Radio Company, Ltd., Leshan614000, China

Received:2021-07-16 Online:2022-03-24 Published:2021-10-25

摘要/Abstract

摘要： 肖特基二极管在高温反向偏置（High Temperature Reverse Bias, HTRB）试验后失效，烘烤或化学开盖后芯片电参数恢复。通过超声扫描分层检查，确定失效原因来自芯片和封装的匹配。在芯片改善受限制的情况下，通过改善封装气密性、离子污染，解决了HTRB失效。同时系统探讨了从设计上预防气密性失效的方法。

关键词: 高温反向偏置, 可靠性, 封装气密性, 离子污染

Abstract: Schottky diodes encounters reliability failure after high temperature reverse bias (HTRB), and the chip electrical parameters recovers after baking or chemical decapsulation. Through scanning acoustical tomography and package delamination inspection, root cause is the matching of chip and package integrity. In the case of limited chip reliability improvement, HTRB soft failure is solved by improving package moisture sensitivity and the ion contamination. At the same time, the prevention of package moisture sensitivity failure in design phase is discussed systematically.

Key words: hightemperaturereversebias, reliability, packagemoisturesensitivity, ioncontamination

中图分类号:

TN306

胡敏;彭俊睿. 肖特基二极管高温反向偏置失效分析与改善[J]. 电子与封装, 2022, 22(3): 030401 .

HU Min, PENG Junrui. Schottky Diode HighTemperature Revise Bias Failure Analysis and Improvement[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(3): 030401 .

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彭俊睿(1992—)，男，四川宜宾人，硕士，现从事半导体封装测试相关技术工作。

中文引用格式：胡敏，彭俊睿. 肖特基二极管高温反向偏置失效分析与改善[J]. 电子与封装，2022，22（3）：030401.
英文引用格式：HU Min, PENG Junrui. Plastic packaging moisture sensitivity and ion contamination study[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(3): 030401.
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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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