[1] 殷嘉琳,李富华,黄君山,等. 一种高电源抑制比带隙基准电压源的设计[J].电子与封装,2020,20(1):010202. [2] 李娟,张海波,李健,等. 一种带有温漂修调的二阶曲率补偿基准源电路[J].电子与封装,2019,19(11):26-30. [3] 陈昊,张彩珍,王梓淇,等.一种高电源抑制比的曲率补偿带隙基准电压源[J].半导体技术,2019,(12):905-909. [4]陆婷,冯喆.一种高阶补偿的开关电容带隙基准电路设计[J].微处理机,2021, 42(1):13-16. [5] YAN W, LI W H, LIU R. A 150-nA 13.4-ppm/℃ switched-capacitor CMOS sub-bandgap voltage reference[J]. Journal of Semiconductors, 2011, 32(4): 045011. [6] ZHANG X, YU PU, K. ISHIDA, et al. A 1-V-Input switched-capacitor voltage converter with voltage-reference-free pulse-density modulation[J]. IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, 2012, 59(6): 361-365. [7] 吴熙文,顾卫民.一种利用迭代法实现的熔丝修调方案[J].电子与封装,2016, 16(12):23-25. [8] 任鹏,李儒章,杨卫东. 采用熔丝修调技术的高精度电流舵D/A转换器[J]. 微电子学, 2017, 47(3): 317-321. [9] 黄祥林,李富华,宋爱武.一种低功耗无运放结构的基准电压源设计[J].电子与封装,2021,21(11):110303. [10] 吴舒桐, 孔玉礼, 王祖锦. 一种带曲率补偿的低温漂带隙基准源设计[J]. 电子与封装, 2022, 22(10): 100307. [11] 范东风,沈红伟,王力芳,等. 一种基于开关电容的基准电压源[J]. 微电子学, 2017, 47(4): 451-455. |