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电子组装用Sn-Sb系无铅钎料研究进展*
王曦;张亮;李木兰;姜楠
Sn-Sb系钎料的熔点比Sn-38Pb钎料的熔点高约60℃，并且Sn-Sb系钎料在高温下仍然具有稳定的微观组织及良好的机械性能和抗蠕变性能，所以Sn-Sb系钎料具有应用在高温环境中的能力。许多研究者通过合金化或者添加纳米颗粒的方法来进一步改善Sn-Sb系钎料的综合性能，目前对Sn-Sb系钎料的界面反应和熔化特性的研究相对较少。叙述了国内外关于Sn-Sb系钎料的研究进展，阐述了合金化和颗粒强化对Sn-Sb系钎料的显微组织、界面反应、力学性能、润湿性、熔化特性和抗蠕变性能的影响，探究了钎料在改性方面的成果。总结了目前对Sn-Sb系钎料研究的不足之处和发展的趋势，以期为日后的研究提供相关的理论指导。
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王曦;张亮;李木兰;姜楠. 电子组装用Sn-Sb系无铅钎料研究进展*[J]. 电子与封装, 2023, 23(2): 20201-.
WANG Xi, ZHANG Liang, LI Mulan, JIANG Nan. Research Progress of Sn-Sb Lead-FreeSolders in Electronic Assemble[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(2): 20201-.
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导电胶粘接片式器件的接触电阻试验研究
李文;冯雪华;张信波;朱小会
微波电路包含大量的片式电容、电阻，绝大部分采用导电胶粘接的装配方式。针对导电胶粘接片式器件的接触电阻进行了试验研究，分析了接触电阻对微波电路性能的影响机理，从电极材料、固化参数、导电胶量方面进行了试验研究。结果表明，片式器件电极材料是导致接触电阻变大的主要原因，固化参数对接触电阻变大有一定的影响，固化时间越长，接触电阻越稳定，粘接所用导电胶的胶量对接触电阻变化没有影响。可以通过采用Au/Ag电极材料、适当增加固化时间、在器件电极端头与基板焊盘之间压接金带来减小接触电阻。
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李文;冯雪华;张信波;朱小会. 导电胶粘接片式器件的接触电阻试验研究[J]. 电子与封装, 2023, 23(2): 20202-.
LI Wen, FENG Xuehua, ZHANG Xinbo, ZHU Xiaohui. Experimental Study on Contact Resistance of Conductive Adhesive Bonded ChipDevice[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(2): 20202-.
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铜带缠绕型CCGA的加固工艺参数优化*
张国光;田文超;刘美君;从昀昊;陈思;王永坤
基于有限元分析理论，针对铜带缠绕型CCGA的加固工艺进行仿真，明确不同工艺参数对器件焊接残余应力的影响规律，以残余应力最小为准则，获取了加固工艺的优选参数组合：使用FP4526型填充胶，在靠近基板端底部灌封填充高度为0.622 mm的固化胶，在起始温度为25 ℃、升温速率为5 ℃/min、升温时长为25 min、固化温度为150 ℃、固化时间为120 min、降温速率为5 ℃/min的条件下加热，此时产生的最大残余应力是9.4974 MPa。
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张国光;田文超;刘美君;从昀昊;陈思;王永坤. 铜带缠绕型CCGA的加固工艺参数优化*[J]. 电子与封装, 2023, 23(2): 20203-.
ZHANG Guoguang, TIAN Wenchao, LIU Meijun, CONG Yunhao, CHEN Si. Optimization of Reinforcement Process Parameters for CopperTape Winding CCGA[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(2): 20203-.
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塑封倒装焊焊点开裂分析及改善研究
朱国灵;季振凯;纪萍;徐小明
随着科技的发展，半导体元器件小型化、高性能、轻量化的需求日益迫切，塑封倒装焊技术得到了广泛应用。因为基板的易形变性及各封装材料间的热膨胀系数不匹配，焊点开裂成为影响封装可靠性的重要因素之一。为了研究倒装焊产品在封装制程中焊点开裂的失效原因，利用有限元分析（ANSYS）软件建立倒装焊塑封封装体有限元模型，模拟回流焊过程中的塑封基板形变与凸点应力分布，并分析焊点开裂失效的原因。结果表明，在回流焊过程中，基板形变量大于裸芯，外围凸点倾斜较大，承受的应力及应变能最大，外沿凸点为最易失效点，采用加载具作业可显著降低失效风险。
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朱国灵;季振凯;纪萍;徐小明. 塑封倒装焊焊点开裂分析及改善研究[J]. 电子与封装, 2023, 23(2): 20204-.
ZHU Guoling, JI Zhenkai, JI Ping, XU Xiaoming. Analysis and Improvement of Flip-Chip for Bump Crack in Plastic Packaging[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(2): 20204-.
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高带宽存储器的技术演进和测试挑战*
陈煜海;余永涛;刘天照;刘焱;罗军;王小强
高带宽存储器（HBM）是一种采用三维堆叠和硅通孔技术的超高宽带、低功耗的新型动态随机存取存储器（DRAM），主要应用在高性能计算处理器、人工智能计算加速卡、高端专业显卡等高性能计算领域。国际电子元件工业联合会（JEDEC）先后发布了3代HBM技术标准，并在2022年1月发布了第四代JESD238HBM3 DRAM技术标准，为新一代高带宽内存指定了发展方向。系统梳理了HBM技术标准的发展，介绍了HBM技术在输入输出接口速度、带宽和存储容量方面的突破，结合HBM的技术特点，研究分析了HBM晶圆级堆叠芯片测试技术及其面临的挑战。
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陈煜海;余永涛;刘天照;刘焱;罗军;王小强. 高带宽存储器的技术演进和测试挑战*[J]. 电子与封装, 2023, 23(2): 20205-.
CHEN Yuhai, YU Yongtao, LIU Tianzhao, LIU Yan, LUO Jun, WANG Xiaoqiang. Technology Evolution and Testing Challenges of High Bandwidth Memory[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(2): 20205-.
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高密度陶瓷外壳焊盘位置度的标注与测量方法
刘洋;杨振涛;刘林杰
高密度陶瓷焊盘阵列外壳的焊盘位置度偏差直接影响着封装质量和可靠性。对国内外的位置度相关标准和标注方法进行了对比分析，给出了目前较为合理的位置度公差标注方法。在对现有位置度的测量方法进行分析的基础上，结合理论及数据分析，提出了一种采用抽取特征部位的焊盘测量的方法，该方法能够高效且准确地获得高密度外壳焊盘的位置度。将采用该测量方法测试合格的样品进行了封装验证，证明了标注与测量方法的合理性。
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刘洋;杨振涛;刘林杰. 高密度陶瓷外壳焊盘位置度的标注与测量方法[J]. 电子与封装, 2023, 23(2): 20206-.
LIU Yang, YANG Zhentao, LIU Linjie. Marking and Measuring Method of Pad Position for High Density Ceramic Shell[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(2): 20206-.
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基于RISC-V芯片的内置Flash自编程实现方式
张文文,来鹏飞
对现有的两种Flash自编程实现方式进行了分析，发现其设计实现都比较复杂。在新的应用背景需求下，基于RISC-V芯片的实现方式，提出了一种简单高效的Flash自编程方法。硬件设计在不改动原有Flash控制器架构的基础上只增加了几个自编程的控制寄存器和控制状态机。详细描述了实现方法和流程，并验证了功能的正确性。其整体硬件设计结构简单，操作流程方便快捷。
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张文文,来鹏飞. 基于RISC-V芯片的内置Flash自编程实现方式[J]. 电子与封装, 2023, 23(2): 20301-.
ZHANG Wenwen, LAI Pengfei. Self-Programming Implementation of Built-in Flash Based on RISC-V Chip[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(2): 20301-.
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一种输出可调的高精度开关电容基准电压源
许超;吴叶;常伟;李珂
设计了一种输出可调的高精度开关电容基准电压源，与现有基准电压源相比，该电路可在圆片阶段利用熔丝修调校正技术对基准电压进行修正，降低芯片制造成本。电路采用开关电容结构降低运放输入失调电压对电路的影响，具有高精度的特点。该基准电压源应用于一款语音编解码芯片上，测试结果表明，其在25℃下输出基准电压为2.355V，在-40~80℃范围内温度系数为19.46×10-6/℃。
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许超;吴叶;常伟;李珂. 一种输出可调的高精度开关电容基准电压源[J]. 电子与封装, 2023, 23(2): 20302-.
XU Chao, WU Ye, CHANG Wei, LI Ke. A High Precision Switch Capacitor Reference Voltage Source with Adjustable Output[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(2): 20302-.
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用于宽带任意波发生器的可变增益放大器
罗阳;栾舰;周磊;武锦
在宽带任意波发生器（AWG）研制中，一个重要的挑战来自宽带可变增益放大器(VGA)。作为设备的信号输出接口电路，VGA承担了输出信号放大、共模电压调节、驱动负载等重要功能，在很大程度上决定了设备的综合性能。设计了一款适用于宽带AWG的VGA芯片，采用一种改进的数字增益调节架构，在兼顾带宽的同时，消除了模拟控制电压的影响，并确保了增益的单调性。芯片采用SiGeBiCMOS工艺实现，测试结果表明，芯片可以实现0.125~2倍的单调增益控制，最小增益步进约为0.125倍；在输入信号频率为4GHz时的输出信号衰减为－2.83dB。
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罗阳;栾舰;周磊;武锦. 用于宽带任意波发生器的可变增益放大器[J]. 电子与封装, 2023, 23(2): 20303-.
LUO Yang, LUAN Jian, ZHOU Lei, WU Jin. Variable Gain Amplifierfor Broadband Arbitrary Waveform Generator[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(2): 20303-.
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基于Python的级联半带滤波器RTL自动生成方法*
何秋秀;李晓蓉;邵杰;卓琳
针对数字上下变频的滤波需求和自动化的发展趋势，提出了一种级联半带滤波器寄存器传输级（RTL）自动生成方法。该方法首先读取设计需求参数，创建Python字典对象，将设计参数存储于此字典对象中；然后读取字典对象中的设计参数，基于Python分析并生成并行流水线结构的级联半带滤波器RTL代码。试验结果表明，提出的方法能够自动生成任意N级的级联半带插值滤波器或者任意N级的级联半带抽取滤波器，生成的滤波器能够实现2N倍的插值或者抽取，提升了设计效率，缩短了开发周期。
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何秋秀;李晓蓉;邵杰;卓琳. 基于Python的级联半带滤波器RTL自动生成方法*[J]. 电子与封装, 2023, 23(2): 20304-.
HE Qiuxiu, LI Xiaorong, SHAO Jie, ZHUO Lin. Method ofAutomatically Generating Cascaded Half-Band Filter RTL Based on Python[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(2): 20304-.
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基于组合混沌的多精度流加密方案*
周宇;李巧;刘静;王骏超
混沌加密具有算法简单、高效和安全的特点。计算机系统中有限精度效应导致混沌动力学退化，降低了系统的安全性。对此，提出了Logistic映射与Tent映射组合的新的混沌伪随机序列发生器，通过组合混沌克服了单个系统迭代有限长度之后序列出现周期性的问题。系统可以保留浮点与定点等不同的有效精度，根据明文重要性选择不同加密强度。提出了将谱熵值应用于定点混沌动力学退化分析。定点单混沌序列无法通过NIST测试，定点32精度下的组合混沌序列则可以，说明通过给组合混沌添加随机扰动可以提高序列的随机性，系统的安全性测试结果表明，所提出的加密方案具有良好的安全性。
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周宇;李巧;刘静;王骏超. 基于组合混沌的多精度流加密方案*[J]. 电子与封装, 2023, 23(2): 20305-.
ZHOU Yu, LI Qiao, LIU Jing,WANG Junchao. Multi-Precision StreamEncryption Scheme Based on Combinatorial Chaos[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(2): 20305-.
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基于RISC-V的神经网络加速器硬件实现*
鞠虎;高营;田青;周颖
针对第五代开放精简指令集（RISC-V）的人工智能（AI）处理器较少、先进的精简指令微处理器（ARM）架构供应链不稳定、自主可控性弱的问题，设计了以RISC-V处理器为核心的神经网络推理加速器系统级芯片（SoC）架构。采用开源项目搭建SoC架构；基于可变张量加速器（VTA）架构，完成深度神经网络加速器指令集设计；通过高级可扩展接口（AXI）连接处理器与VTA，并采用共享内存的方式进行数据传输；基于深度学习编译栈实现卷积运算和神经网络部署。试验结果表明，所设计的架构可灵活实现多种主流的深度神经网络推理任务，乘法累加单元（MAC）数目可以达到1024，量化长度为有符号8位整数（INT8），编译栈支持主流神经网络编译，实现了修正后的ZFNet和ResNet20神经网络图像分类演示，在现场可编程逻辑门阵列（FPGA）电路上整体准确率分别达到78.95%和84.81%。
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鞠虎;高营;田青;周颖. 基于RISC-V的神经网络加速器硬件实现*[J]. 电子与封装, 2023, 23(2): 20306-.
JU Hu, GAO Ying, TIAN Qing, ZHOU Yin. Hardware Implementation of Neural NetworkAccelerator Based on RISC-V[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(2): 20306-.
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基于过程控制和参数分布能力的元器件质量评价方法
李剑焘;孙明;张海明;宁永成;蒋承志
高可靠元器件制造关键工序控制能力和产品性能参数一致性水平与产品质量密切相关。对元器件产品质量表征要素和定量表征方法进行了系统研究，提出了一种基于元器件过程控制能力和关键参数分布能力的产品质量水平定量评价方法。典型品种验证结果表明，该方法可有效定量表征产品生产批质量水平。
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李剑焘;孙明;张海明;宁永成;蒋承志. 基于过程控制和参数分布能力的元器件质量评价方法[J]. 电子与封装, 2023, 23(2): 20401-.
LI Jiantao, SUN Ming, ZHANG Haiming,NING Yongcheng, JIANG Chengzhi. Quality Evaluation forElectronicComponents Based onProcess ControlandParameter Distribution Capability[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(2): 20401-.
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多重场限环型终端结构的优化设计*
卓宁泽;赖信彰;于世珩
开展了硅基金属氧化物场效应晶体管用多重场限环型终端结构的优化设计工作。研究了体区注入剂量、场限环宽度、主结宽度对击穿电压的影响规律，并对其机理进行了分析。通过仿真获得了器件内部的电场、电势和碰撞电离率分布。通过逐步优化获得了最终结构和工艺参数，体区注入剂量为1.3×1013 cm?3，场限环宽度为1.5 μm，主结宽度为11 μm，对应终端击穿电压为106 V。实验开版流片获得的器件击穿电压为105.6 V，良率达到98.65%。
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卓宁泽;赖信彰;于世珩. 多重场限环型终端结构的优化设计*[J]. 电子与封装, 2023, 23(2): 20402-.
ZHUO Ningze, LAI Hsinchang, YU Shihheng. Optimum Design of Multi-Field Limiting Ring TerminationStructure[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(2): 20402-.
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