摘要: 为解决传统集成电路抗单粒子加固设计中存在的不足,利用TCAD及SPICE软件,探索出一种单粒子效应仿真与电路抗辐射加固设计相结合的方法。该方法通过TCAD软件的器件建模、仿真单粒子效应对器件的影响,得出器件在单粒子辐射条件下的3个关键参数。利用SPICE软件将此参数转化为模拟单粒子效应的扰动源,进而指导电路抗单粒子效应的加固设计工作。此次工作通过对一款SRAM的加固设计及辐射试验对比,证明了该方法的正确性和有效性,同时也为以后单粒子效应设计加固提供了依据。
中图分类号:
周昕杰,陈 瑶,花正勇,殷亚楠,郭 刚,蔡 丽. TCAD结合SPICE的单粒子效应仿真方法[J]. 电子与封装, 2019, 19(4):
032 -35.
ZHOU Xinjie. The Technique of Single Event Effect Simulation Uses TCAD and SPICE[J]. Electronics & Packaging, 2019, 19(4):
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