电子与封装

2019年第19卷第4期 pp.01 -5

杨建伟, 饶锡林. 芯片堆叠FPBGA产品翘曲度分析研究[J]. 电子与封装, 2019, 19(4): 1-5.

YANG Jianwei. The Warpage Study of Ultra-Thin Die Stack FPBGA Package[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(4): 1-5.

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功率器件封装体填充不良分析及改进措施

李明奂

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0037

摘要 ( 228 )

HTML ( 16 )

PDF(1346KB) ( 399 )

填充不良是功率器件塑料封装过程中的常见问题，如何减少填充不良的产生和预防填充不良产品的出现是塑封设备工程师、功率器件产品设计师、模塑料生产商、模具制造商共同探讨的问题。描述了填充不良对组装的危害，阐述了功率器件封装过程中常见的填充不良发生机理，从塑封产品设计、模塑料、工艺方法等方面进行分析，提出了有效的改善措施，对塑料封装改进质量和模塑料、模具等的开发工作有借鉴意义。

参考文献 |

2019年第19卷第4期 pp.06 -9

李明奂. 功率器件封装体填充不良分析及改进措施[J]. 电子与封装, 2019, 19(4): 6-9.

LI Minghuan. Poor Packing Analysis and Improvement Measures of Power Device Package[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(4): 6-9.

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SOP8分层探究及解决

李　进，朱　浩

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0038

摘要 ( 390 )

HTML ( 33 )

PDF(1796KB) ( 556 )

塑料封装作为一种非气密性封装，分层一直是制约其可靠性的一个关键因素，也是可靠性需解决的难点之一。选择确立较为稳定、成熟的引线框架塑料封装制程，研发一款抗分层表现良好的SOP8，搭配优选过的环氧模塑料（EMC），使塑料封装的可靠性大大提升，也促进了EMC在塑料封装中的应用和表现。

参考文献 |

2019年第19卷第4期 pp.010 -14

李　进，朱　浩. SOP8分层探究及解决[J]. 电子与封装, 2019, 19(4): 10-14.

LI Jin. SOP8 Delamination Exploration and Solution[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(4): 10-14.

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高效率的隔离器CMTI测试系统设计

李　欢，顾小明

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0039

摘要 ( 532 )

HTML ( 14 )

PDF(1270KB) ( 535 )

瞬态共模抑制（Common-Mode Transient Immunity，以下缩写为CMTI）测试是隔离器测试中的关键技术指标。为适应数字隔离器研制开发的需要，设计搭建了监控数字隔离器输出波形的CMTI测试系统。该系统具备一个隔离的四千伏高压脉冲信号源、可配置的直流稳压电压电源和多通道监控数字隔离器输出波形示波器，据此波形可计算出隔离器的CMTI。这种方法既可以实时高效地观测CMTI值，又解决了高压下的人身安全问题。

参考文献 |

2019年第19卷第4期 pp.015 -18

李　欢，顾小明. 高效率的隔离器CMTI测试系统设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(4): 15-18.

LI Huan. The Design of Efficient Isolator CMTI Test System[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(4): 15-18.

电路设计

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一种高速高精度AB类全差分运算放大器的设计

张　镇，王雪原，冯　奕

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0040

摘要 ( 326 )

HTML ( 10 )

PDF(1694KB) ( 576 )

通过对传统两级单端运放结构的改进，设计了一种AB类输入和输出的全差分运放，在不损失增益的前提下提高了带宽和压摆率。本运放基于JAZZ 0.18 μm CMOS工艺进行设计，为了保证设计的鲁棒性，仿真覆盖了全工艺角，结果表明，在3.3 V 10%的电源电压、5 pF的大负载电容、-40~125℃温度条件下，此运放的直流开环增益大于80 dB，单位增益带宽大于170.74 MHz，转换速率大于150 V/μm，静态电流最大为5.8 mA。此运放的版图面积很小，仅为0.017 mm2，通过寄生参数的提取进行了后仿真，其结果和前仿真结果拟合得很好。

参考文献 |

2019年第19卷第4期 pp.019 -23

张　镇，王雪原，冯　奕. 一种高速高精度AB类全差分运算放大器的设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(4): 19-23.

ZHANG Zhen. Design of a High Speed and High Accuracy Class-AB Fully Differential Operational Amplifier[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(4): 19-23.

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用于OLED驱动电路的振荡器设计

程　亮，赵子龙

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0041

摘要 ( 128 )

HTML ( 16 )

PDF(899KB) ( 172 )

有机发光二极管（OLED）在不同的工作温度下发光亮度不同，严重影响显示效果。为解决这一问题，需要在驱动芯片中设计温度传感器，实时采样温度信息来调整光亮度。利用带隙基准原理设计了一种输出信号的频率与绝对温度成线性关系的振荡器。通过带隙基准电源产生与绝对温度成正比例的电流，使用该电流对电容充放电以实现信号的振荡。采用CSMC 0.18 μm CMOS 工艺对电路仿真，电源电压设置为1.8 V，TT标准工艺角，仿真温度设置为0℃时，输出信号频率为3.447 MHz。温度每升高1℃，输出信号的频率增加16 kHz，可以为OLED驱动电路提供精确的温度信息。

参考文献 |

2019年第19卷第4期 pp.024 -27

程　亮，赵子龙. 用于OLED驱动电路的振荡器设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(4): 24-27.

CHENG Liang. A Design of Oscillator for OLED Drive Circuit[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(4): 24-27.

微电子制造与可靠性

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基于贝叶斯网络的DC-DC电源故障不确定性分析

贾晓晓,高会壮，黄姣英

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0042

摘要 ( 146 )

HTML ( 5 )

PDF(1059KB) ( 211 )

为解决DC-DC电源模块故障诊断中不确定性的相关问题，研究了电源模块故障不确定性产生的原因，同时对不确定性信息类型与推理方法进行了研究。利用贝叶斯网络对DC-DC电源模块故障产生原因与故障模式进行建模描述，经过BIC与K2评分算法训练完成后，可以进行不确定性推断。在故障概率方面分析了模块中的不同故障部件对电源模块故障的影响，利用MATLAB平台根据模拟数据对不确定性模型进行了分析，验证了基于贝叶斯网络的故障预测不确定性模型的有效性。

参考文献 |

2019年第19卷第4期 pp.028 -31

贾晓晓,高会壮，黄姣英. 基于贝叶斯网络的DC-DC电源故障不确定性分析[J]. 电子与封装, 2019, 19(4): 28-31.

JIA Xiaoxiao. Uncertainty Analysis of Fault Prediction for DC-DC Power Module Based on Bayesian Network[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(4): 28-31.

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TCAD结合SPICE的单粒子效应仿真方法

周昕杰，陈　瑶，花正勇，殷亚楠，郭　刚，蔡　丽

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0043

摘要 ( 394 )

HTML ( 10 )

PDF(2453KB) ( 244 )

为解决传统集成电路抗单粒子加固设计中存在的不足，利用TCAD及SPICE软件，探索出一种单粒子效应仿真与电路抗辐射加固设计相结合的方法。该方法通过TCAD软件的器件建模、仿真单粒子效应对器件的影响，得出器件在单粒子辐射条件下的3个关键参数。利用SPICE软件将此参数转化为模拟单粒子效应的扰动源，进而指导电路抗单粒子效应的加固设计工作。此次工作通过对一款SRAM的加固设计及辐射试验对比，证明了该方法的正确性和有效性，同时也为以后单粒子效应设计加固提供了依据。

参考文献 |

2019年第19卷第4期 pp.032 -35

周昕杰，陈　瑶，花正勇，殷亚楠，郭　刚，蔡　丽. TCAD结合SPICE的单粒子效应仿真方法[J]. 电子与封装, 2019, 19(4): 32-35.

ZHOU Xinjie. The Technique of Single Event Effect Simulation Uses TCAD and SPICE[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(4): 32-35.

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500 V增强型与耗尽型集成VDMOS器件设计

李学会，黄昌明，詹小勇，许玉欢

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0044

摘要 ( 262 )

HTML ( 6 )

PDF(1900KB) ( 207 )

增强型与耗尽型集成VDMOS器件是LED驱动电路中一种高效、低成本的功率器件。其设计制造要解决的主要问题是两种VDMOS器件工艺的集成问题和两种器件之间的隔离问题。提出一种隔离良好、芯片面积较小的增强型与耗尽型集成VDMOS设计和制造方法，耗尽管位于增强管里面比耗尽管位于增强管外面时耗尽管芯片面积减小74%。测试结果表明500 V增强型VDMOS击穿电压BVDSS平均值为550 V，耗尽型VDMOS击穿电压BVDSX平均值为540 V，增强型VDMOS平均阈值电压VTH为3.2 V，耗尽型VDMOS平均阈值电压VP为-3.7 V，两种管子总良率在94%以上，达到预期的设计目的，并成功应用于LED等产品中。

参考文献 |

2019年第19卷第4期 pp.036 -40

李学会，黄昌明，詹小勇，许玉欢. 500 V增强型与耗尽型集成VDMOS器件设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(4): 36-40.

LI Xuehui. Design of 500 V Enhancement and Depletion Integrated VDMOS Devices[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(4): 36-40.

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一种改进型MLSCR-ESD结构设计分析

刘明峰，徐晟阳

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0045

摘要 ( 210 )

HTML ( 10 )

PDF(1033KB) ( 249 )

集成电路中半导体器件的特征尺寸不断减小，集成电路对ESD的冲击更加敏感。静电防护成为集成电路中最重要的可靠性指标之一，ESD保护结构也成为芯片设计中的难题。随着集成电路规模的增大，芯片引脚增多，大量面积被用于ESD保护电路，导致成本提高。可控硅结构的ESD保护器件相比其他已知保护结构具有最高的单位面积ESD性能，因此成为低成本片上ESD设计方案的首选。针对改进型横向SCR（MLSCR，又称N+桥式SCR）的ESD保护结构，对其关键特性指标结合理论分析与实验数据进行分析。基于某0.18 μm 5 V CMOS工艺的流片结果，对SCR结构的工作原理以及关键的触发电压、保持电压参数进行说明，并提出改进方案。

参考文献 |

2019年第19卷第4期 pp.041 -44

刘明峰，徐晟阳. 一种改进型MLSCR-ESD结构设计分析[J]. 电子与封装, 2019, 19(4): 41-44.

LIU Mingfeng. Analysis on the Design of an Improved MLSCR-ESD[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(4): 41-44.

产品、应用与市场

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低交叉极化水平的宽带滤波贴片天线

张　诚，毛　臻，杨　兵，丁涛杰

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0046

摘要 ( 174 )

HTML ( 7 )

PDF(1625KB) ( 192 )

提出了一种低交叉极化水平的宽带贴片滤波天线。在层叠式贴片与金属大地之间插入一对1/4波长短路谐振器，天线的通带内可出现3个反射零点，实现了拓展天线工作带宽的效果。在通带的高端出现两个反射零点，提高了天线的高端带外抑制水平。该天线与传统的微带贴片天线相比，具有宽频带、高增益、低交叉水平以及高端频率选择性的优势。为验证理论预期的可实现性，设计了中心频率在3.5 GHz的天线案例。仿真结果表明，该天线的剖面高度为0.1 λ0，10 dB匹配带宽为22%，增益为8.4 dBi，交叉极化小于-30 dB。

参考文献 |