改进DICE结构的D触发器抗SEU设计

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0092

电子与封装 ›› 2016, Vol. 16 ›› Issue (8): 19 -23. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0092

改进DICE结构的D触发器抗SEU设计

孙　敬¹,²，陈振娇²，陶建中¹,²，张宇涵²

1.江南大学，江苏无锡 214062；2.中国电子科技集团公司第58研究所，江苏无锡 214035

收稿日期:2016-04-12 出版日期:2016-08-20 发布日期:2016-08-20
作者简介:孙　敬（1990—），女，安徽宿州人，硕士研究生，研究方向为抗辐照加固SRAM设计。

Design of Radiation Hardened D Flip-Flop Based on DICE

SUN Jing¹,²，CHEN Zhenjiao²，TAO Jianzhong1²，ZHANG Yuhan²

1.Jiangnan University，Wuxi 214062，China；2.China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute，Wuxi 214035，China

Received:2016-04-12 Online:2016-08-20 Published:2016-08-20

摘要/Abstract

摘要： 基于DICE结构主-从型D触发器的抗辐照加固方法的研究，在原有双立互锁存储单元（DICE）结构D触发器的基础上改进电路结构，其主锁存器采用抗静态、动态单粒子翻转（SEU）设计，从锁存器保留原有的DICE结构。主锁存器根据电阻加固与RC滤波的原理，将晶体管作电阻使用，使得电路中存在RC滤波，通过设置晶体管合理的宽长比，使其与晶体管间隔的节点的电平在SEU期间不变化，保持原电平状态，从而使电路具有抗动态SEU的能力。Spectre仿真结果表明，改进的D触发器既具有抗动态SEU能力，又保留了DICE抗静态SEU较好的优点，其抗单粒子翻转效果较好。

关键词: 单粒子翻转, DICE, D触发器, 静态SEU, 动态SEU

Abstract: In the paper，the research of master-slave type D flip-flop radiation hardening method facilitates the improvement of circuit structure of the DICE-based type D flip-flop.The master latch adopts the design of anti-static and anti-dynamic SEU while the slave latch retains the original DICE structure.The master latch generates RC filter using transistors as resistance and enables anti-dynamic capability by setting reasonable length/width ratio.The Spectre simulation results show that the improved D flip-flop is equipped with strong anti-dynamic SEU capability and retains good anti-static SEU capability.

Key words: single event upset（SEU）, DICE, D flip-flop, static SEU, dynamic SEU

中图分类号:

TN402

孙　敬¹,²，陈振娇²，陶建中¹,²，张宇涵². 改进DICE结构的D触发器抗SEU设计[J]. 电子与封装, 2016, 16(8): 19 -23.

SUN Jing¹,²，CHEN Zhenjiao²，TAO Jianzhong1²，ZHANG Yuhan². Design of Radiation Hardened D Flip-Flop Based on DICE[J]. Electronics & Packaging, 2016, 16(8): 19 -23.

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中国半导体行业协会封装分会会刊

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Design of Radiation Hardened D Flip-Flop Based on DICE

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