高浓度硅外延纵向电阻率分布研究

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0914

电子与封装 ›› 2021, Vol. 21 ›› Issue (9): 090403 . doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0914

高浓度硅外延纵向电阻率分布研究

尤晓杰;王银海;葛华;韩旭

南京国盛电子有限公司，南京　211100

收稿日期:2021-03-29 发布日期:2021-05-07
作者简介:尤晓杰（1990—），男，山东青岛人，西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院硕士研究生，南京国盛电子有限公司工程师，主要研究方向是硅外延工艺。

Study on Vertical ResistivityDistribution of Silicon Epitaxy with High Doping Concentration

YOU Xiaojie, WANG Yinhai, GE Hua, HAN Xu

Nanjing Guosheng Electronics Co., Ltd., Nanjing 211100, China

Received:2021-03-29 Published:2021-05-07

摘要/Abstract

摘要： 研究了桶式N型外延中发现的波浪形貌纵向电阻率分布现象，分析和验证了可能影响因素（温度、生长速率、转速、挂件、掺杂浓度），得到如下结论，波浪形貌的纵向电阻率分布是在高掺杂浓度时因桶式基座面气流干扰产生的现象，且该现象通过基座面尺寸的调整可以消除。

关键词: 桶式外延炉, 基座, 波浪形貌, 纵向电阻率分布, 掺杂浓度

Abstract: By studying the phenomenon of wavy resistivity distribution which was found in n-type epitaxy produced with barrel furnace, and analysing the related factors (temperature, growth rate, rotating speed, pendant, doping concentration), such conclusion is found, wavy resistivity distribution is an phenomenon caused by disturbance of barrel substrate at the condition of high doping concentration. Also, the phenomenon can be eliminated by adjusting the size of the substrate.

Key words: barrelepitaxialfurnace, substrate, waveshape, verticalresistivitydistribution, dopingconcentration

中图分类号:

尤晓杰;王银海;葛华;韩旭. 高浓度硅外延纵向电阻率分布研究[J]. 电子与封装, 2021, 21(9): 090403 .

YOU Xiaojie, WANG Yinhai, GE Hua, HAN Xu. Study on Vertical ResistivityDistribution of Silicon Epitaxy with High Doping Concentration[J]. Electronics & Packaging, 2021, 21(9): 090403 .

[1]	陈慧蓉;孔德成;张明;彭时秋. 光电晶体管反向击穿特性研究[J]. 电子与封装, 2023, 23(6): 60402-.
[2]	冯永平;何文俊;任凯. 基于硅外延片用石墨基座的温度均匀性研究[J]. 电子与封装, 2022, 22(4): 40401-.
[3]	华卫群;尤春;薛文卿. 掩模制造用量测设备工件台结构研究[J]. 电子与封装, 2021, 21(6): 60402-.

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

中国半导体行业协会封测分会会刊

无锡市集成电路学会会刊

高浓度硅外延纵向电阻率分布研究

Study on Vertical ResistivityDistribution of Silicon Epitaxy with High Doping Concentration

PDF

可视化

摘要/Abstract

引用本文

使用本文

参考文献

相关文章 3

编辑推荐

Metrics

本文评价