一种抗辐射Trench型N 30 V MOSFET器件设计

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

导航

一种抗辐射Trench型N 30 V MOSFET器件设计

廖远宝,谢雅晴

Design of a Radiation Resistant Trench N 30 V MOSFET Device

LIAO Yuanbao, XIE Yaqing

电子与封装 . 2024, (5): 50401 . DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0051