电子与封装

2020年第20卷第5期 pp.050101

彭荣. 基于OLED器件的封装方法研究[J]. 电子与封装, 2020, 20(5): 50101-.

PENG Rong. Research on Packaging Methods Based on OLED Devices[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(5): 50101-.

封装、组装与测试

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军用倒装焊器件底部填充胶选型及验证方法讨论

冯春苗, 张欲欣, 付博彬

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0502

摘要 ( 602 )

HTML ( 51 )

PDF(1301KB) ( 981 )

从分析倒装焊器件底部填充的必要性入手，对底部填充胶的选型流程、选型基本方法及重点参数匹配情况进行了分析，优选出 4 款底部填充材料。通过对 4 款材料关键参数的理论计算及恒定加速度、热力学耦合仿真计算，优选出一种材料作为样本材料。同时对底部填充材料验证内容进行了梳理，通过试验验证摸索出材料的适用范围及边界条件。该底部填充胶的选型验证方法对于军用混合集成电路其他聚合材料的选型具有一定的指导意义。

参考文献 |

2020年第20卷第5期 pp.050201

冯春苗, 张欲欣, 付博彬. 军用倒装焊器件底部填充胶选型及验证方法讨论[J]. 电子与封装, 2020, 20(5): 50201-.

FENG Chunmiao, ZHANG Yuxin, FU Bobin. Discussion on Type Selection and Verification Method of Underfill Adhesive for Military Flip Chip Solder Devices[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(5): 50201-.

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芯片真空金锡共晶焊接中的气压控制

洪火锋

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0503

摘要 ( 537 )

HTML ( 25 )

PDF(1317KB) ( 401 )

真空共晶焊接是用真空共晶炉实现芯片与载体互连的一种重要的焊接工艺。对于需要共晶的芯片，其与载体间共晶焊接的空洞率，会直接影响到芯片工作时的散热及其输出功率。重点针对无工装施加压力条件下真空共晶炉内抽真空、加压、泄压等工艺展开试验研究，分析不同的炉内气压压强与空洞率之间的关系。试验结果表明，在焊料熔化形成空洞时增加气压、在焊料凝固后排气降压，对降低焊接空洞率有明显改善。

参考文献 |

2020年第20卷第5期 pp.050202

洪火锋. 芯片真空金锡共晶焊接中的气压控制[J]. 电子与封装, 2020, 20(5): 50202-.

HONG Huofeng. Atmosphere Pressure Control in Vacuum Gold Tin Eutectic Soldering of Chip[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(5): 50202-.

电路设计

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一种Ka波段点频锁相频率源设计

潘结斌,王家好,徐叔喜

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0504

摘要 ( 240 )

HTML ( 8 )

PDF(820KB) ( 655 )

针对某射频系统特殊空间小型化布局需求，采用取样锁相与倍频放大混合集成技术，研制Ka波段点频源。介绍利用ADF4016频率合成器、压控振荡器、MSP430单片机等设计方案研制X波段点频锁相源，再通过倍频、放大、滤波等链路方案实现Ka波段点频源。测试结果表明，Ka波段点频源工作频率、相位噪声、输出功率等技术指标同设计相吻合。

参考文献 |

2020年第20卷第5期 pp.050301

潘结斌,王家好,徐叔喜. 一种Ka波段点频锁相频率源设计[J]. 电子与封装, 2020, 20(5): 50301-.

PAN Jiebin, WANG Jiahao, XU Shuxi. Design of a Ka-band Point-frequency Phase-locked Frequency Source[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(5): 50301-.

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基于STM32的氧含量测量模块设计

陈翔,畅广春,徐鹏

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0505

摘要 ( 283 )

HTML ( 17 )

PDF(941KB) ( 505 )

采用氧化锆传感器作为氧含量感应器件，设计了一种基于STM32F030C8T6的氧含量测量模块。分析了传感器基本原理，结合传感器原理设计了传感器工作必须的加热电路和恒流源电路。由于传感器输出信号为毫伏级能斯特电压信号，所以设计了信号调节电路简化氧化锆传感器测量难度。试验证明，模块经过标准气体校准后，测量氧含量精度可以达到1%。通过Modbus接口，可以多模块与主机通讯，在工业控制测量中可方便应用。

参考文献 |

2020年第20卷第5期 pp.050302

陈翔,畅广春,徐鹏. 基于STM32的氧含量测量模块设计[J]. 电子与封装, 2020, 20(5): 50302-.

CHEN Xiang, YANG Guangchun, XU Peng. Oxygen Content Measurement Module Based on STM32[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(5): 50302-.

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一种数字COT控制Buck变换器设计

陈思远,甄少伟,武昕,胡怀志,白止杨,罗萍,张波

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0506

摘要 ( 277 )

HTML ( 15 )

PDF(558KB) ( 940 )

设计了一种基于数字COT控制的DC-DC变换器。通过分时复用的方法，采用单个ADC实现输入/输出电压和误差电压的量化，并通过内部数字信号计算得到电感电流信息。为克服ADC量程和精度之间的矛盾，使用PGA和DAC实现对6 bit ADC量程的扩展。Buck变换器在输入电压3.3 V、输出电压1.8 V、开关频率1 MHz下进行了仿真验证，输入电压阶跃响应时间从276 μs/324 μs下降到几乎无影响，负载阶跃响应时间达到39 μs/39 μs，电源调整率0.14%，负载调整率0.14%，输出精度达到了4 mV。

参考文献 |

2020年第20卷第5期 pp.050303

陈思远,甄少伟,武昕,胡怀志,白止杨,罗萍,张波. 一种数字COT控制Buck变换器设计[J]. 电子与封装, 2020, 20(5): 50303-.

CHEN Siyuan, ZHEN Shaowei, WU Xin, HU Huaizhi, BAI Zhengyang, LUO Ping, ZHANG Bo. Design of Digital Constant-on-Time Buck Converter[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(5): 50303-.

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具有低失调电压的新型灵敏放大器设汁

常红,封晴,陆生礼,肖培磊,李娟

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0507

摘要 ( 335 )

HTML ( 16 )

PDF(657KB) ( 401 )

随着器件尺寸越来越小，器件之间的失配越来越严重，由器件失配引起的失调电压对灵敏放大器性能的影响越来越大。针对此情况，根据灵敏放大器的工作原理，提出了一种具有失调电压自调整的灵敏放大器，通过增加校准支路来平衡灵敏放大器两边的放电速度，从而降低失调电压，减小其对灵敏放大器性能的影响。基于SMIC 65 nm CMOS工艺的后仿真结果显示，在电源电压1.2 V、TT工艺角、室温条件下，相比于传统的灵敏放大器，该新型灵敏放大器的失调电压的标准偏差降低了61.9%，SRAM的读关键路径延迟降低了25%。

参考文献 |

2020年第20卷第5期 pp.050304

常红,封晴,陆生礼,肖培磊,李娟. 具有低失调电压的新型灵敏放大器设汁[J]. 电子与封装, 2020, 20(5): 50304-.

CHANG Hong, FENG Qing, LU Shengli, XIAO Peilei, LI Juan. Design of a Novel Sense Amplifier with Low Offset Voltage[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(5): 50304-.

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一种中大功率多路低噪声开关电源的设计

林庄,杨新国,汪国亮

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0508

摘要 ( 153 )

HTML ( 9 )

PDF(2145KB) ( 251 )

高精密电子系统对开关电源的低噪声要求日趋普遍，需求功率也日益增大。针对开关电源的噪声来源与特点，综合利用多重噪声抑制措施方有可能实现低输出噪声。着重介绍了一种多路输出开关电源的低噪声设计思路，从基础变换电路的低噪声设计和外围电路的低噪声处理方面进行了分析，对开关管、整流管、变压器辐射、布局布线与引出线处理、共模噪声抑制等采取对应噪声抑制方法。最后运用该方案试制了一款实际电路，通过实测表明设计满足预期要求。

参考文献 |

2020年第20卷第5期 pp.050305

林庄,杨新国,汪国亮. 一种中大功率多路低噪声开关电源的设计[J]. 电子与封装, 2020, 20(5): 50305-.

LIN Zhuang, YANG Xinguo, WANG Guoliang. A Medium and High Power Switching Power Supply Design with Low Noise Multiple Outputs[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(5): 50305-.

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用于FPGA的自动阳抗匹配电路设计

曹正州、张艳飞,何小飞,孙佩

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0509

摘要 ( 210 )

HTML ( 12 )

PDF(1731KB) ( 372 )

针对工业控制、航天航空中在使用超大规模现场可编程门阵列 (FPGA)电路时对信号完整性的需求，设计了一种自动阻抗匹配电路数控阻抗（DCI）。DCI通过调整输出阻抗或输入终端，以精确匹配传输线的特征阻抗。DCI将I/O的阻抗自动调整到与外部参考电阻相等，这样就可补偿由工艺偏差引起的I/O阻抗变化，DCI还可以实时地调整I/O的阻抗，以补偿温度变化和供电电压波动引起的I/O阻抗变化。

参考文献 |

2020年第20卷第5期 pp.050306

曹正州、张艳飞,何小飞,孙佩. 用于FPGA的自动阳抗匹配电路设计[J]. 电子与封装, 2020, 20(5): 50306-.

CAO Zhengzhou, ZHANG Yanfei, HE Xiaofei, SUN Pei. Design of Automatic Impendence Matched Circuit Used in FPGA[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(5): 50306-.

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应用于10 Gbit/s光通信及背板传输的自适应均衡器设计

闫华,杨煜

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0510

摘要 ( 257 )

HTML ( 26 )

PDF(851KB) ( 308 )

描述了一种既可用于背板传输也可用于光纤通信的高速串行收发器前端均衡器的设计。为适应光信号在传播中的色散效应，使用前馈均衡器（FFE）加判决反馈均衡器（DFE）的组合，取代了背板通信中常用的连续时间线性均衡器（CTLE）和DFE的组合。设计使用3 pre-tap、3 post-tap和1个main tap的抽头组合方式，兼顾pre-cursor和 post-cursor的信号失真，有效补偿范围为15 dB。补偿系数采用完全自适应算法调整，对FFE采用模拟MSE算法调整，DFE引擎采用1/16速率数字sign-sign 最小均方差（LMS）算法实现。芯片使用UMC 28 nm工艺流片，输入信号频率为10 Gbit/s。

参考文献 |

2020年第20卷第5期 pp.050307

闫华,杨煜. 应用于10 Gbit/s光通信及背板传输的自适应均衡器设计[J]. 电子与封装, 2020, 20(5): 50307-.

YAN Hua，YANG Yu. Design of an Adaptive Equalizer for 10 Gbit/s Optical and Backplane Communications[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(5): 50307-.

微电子制造与可靠性

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一种具有Butfer层的分离栅VDM0S研兖

何俊卿,乔明,任敏

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0511

摘要 ( 241 )

HTML ( 14 )

PDF(1030KB) ( 432 )

介绍了一种具有Buffer层的分离栅VDMOS器件，通过Medici进行了仿真研究，分析了Buffer层对器件电学特性的影响，并提供了获得合适Buffer层参数以优化器件功率优值的设计公式。优化后器件的功率优值较现有研究结果均出现了30%以上的增加。

参考文献 |

2020年第20卷第5期 pp.050401

何俊卿,乔明,任敏. 一种具有Butfer层的分离栅VDM0S研兖[J]. 电子与封装, 2020, 20(5): 50401-.

HE Junqing, QIAO Ming, REN Min. Research on the Split-Gate VDMOS with Buffer Layer[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(5): 50401-.

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齐纳二极管电子辐照特性研究

明思汀,王多为,唐常钦,马瑶,李芸,杨治美,黄铭敏,龚敏

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0512

摘要 ( 192 )

HTML ( 14 )

PDF(1533KB) ( 234 )

研究了电子辐照前后齐纳二极管在不同温度下的直流参数特性以及其动态响应。根据直流伏安特性提取齐纳管理想因子n，发现高注量下n有明显增大，表明辐照引入了复合中心。该器件室温下的直流参数稳定，辐照引起的变化不明显；较高温度下，击穿电压和正向压降等变化稍大。在动态响应的研究中，瞬态电压消失后，电流迅速减小并产生了随时间衰减的振荡。高注量的样品振荡时间相较于低注量的样品有明显的延长，这个延长在器件室温存放之后发生了消退。

参考文献 |

2020年第20卷第5期 pp.050402

明思汀,王多为,唐常钦,马瑶,李芸,杨治美,黄铭敏,龚敏. 齐纳二极管电子辐照特性研究[J]. 电子与封装, 2020, 20(5): 50402-.

MING Siting, WANG Duowei, TANG Changqin, MA Yao, LI Yun, YANG Zhimei, HUANG Mingmin, GONG Min. Study on the Characteristics of Zener Diode after Electron Irradiation[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(5): 50402-.

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基于双极载流子导电的新型恒流器件

何林蓉,乔明

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0513

摘要 ( 151 )

HTML ( 13 )

PDF(20014KB) ( 88 )

提出了一种基于双极载流子导电、具有低开启电压VK和高反向击穿电压BVR的恒流器件，并进行了初步的实验验证。利用Tsuprem4和Medici仿真工具对器件的恒定电流IS、开启电压VK、正向击穿电压BVF和反向击穿电压BVR等电学参数进行了仿真，优化了外延层电阻率ρepi、外延层厚度Tepi、JFET注入剂量DJFET、pwell注入窗口间距WJFET等参数。试验结果显示，该器件工作于正向时，开启电压VK约为1.6 V，恒定电流IS约为31 mA，正向击穿电压BVF为55 V；该器件工作在反向时，反向击穿电压BVR约为200 V。

参考文献 |