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一种高增益、高带宽全差分运算放大器的设计
彭春雨;张伟强;蔺智挺;吴秀龙
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0089
摘要
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414
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(1035KB)(
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可视化
采用增益提升(Gain-boosting)技术,使用2个三输入管的折叠式共源共栅运算放大器(运放)作为辅助运放,设计了一种宽输入共模范围的高增益、高带宽的全差分运算放大器。主运放输入部分由一对NMOS管和一对PMOS管共同构成,其输入跨导提高至由单MOS管构成的运放输入跨导的2倍。主运放输入跨导的提高间接提升了主运放的增益和带宽。而辅助运放在不改变主运放带宽的同时,通过降低主运放的主极点增大输出阻抗,再次提升主运放的增益,达到了高增益、高带宽的目的。该运算放大器采用商用55 nm CMOS工艺设计,经仿真可得,当负载电容为5 pF时,运放低频增益为115 dB,增益带宽积为209 MHz,总功耗为2.8 mW。
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2023年第23卷第7期 pp. 070302
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基于互感开关变压器的毫米波宽带数控振荡器
李幸和, 唐路, 白雪婧
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0130
摘要
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395
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可视化
为满足宽频带、高性能的要求,设计了一款V波段毫米波宽带数控振荡器(DCO)。采用基于互感开关变压器的电感调谐技术,通过互感开关控制一组耦合变压器实现双模切换,输出低频子带或高频子带,从而实现宽带设计。采用离散电压控制可变电容器实现离散电容器调谐,与开关电容相比降低了寄生电容和损耗,能够实现更大的带宽和良好的相位噪声。电路基于40nm CMOS工艺设计,核心芯片面积仅为0.053 mm
2
。频率调谐范围为57.85~72.30 GHz,1 MHz频偏处相位噪声范围为-95.32~-91.07 dBc/Hz。
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2023年第23卷第5期 pp. 050308
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一种低功耗16 bit逐次逼近型ADC的设计
王思远;李琨;叶明远;张涛
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0052
摘要
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180
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139
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可视化
设计了一种低功耗的16 bit 1MSa/s SAR ADC。低功耗设计来源于电容阵列,其由3段子电容阵列构成,之间的桥接电容通过冗余电容和权重电容整数化。在电容阵列的切换过程中,通过将电容分裂来引入额外的参考电压。通过对量化噪声和热噪声的计算,可以精确地得出所需的电容数量为225个单位,相比于传统的电容阵列形式,可以节省99.93%的面积和99.5%的功耗。电路中使用一个2级预放大,并添加了具有自校零功能的动态锁存比较器,确保了高精度分辨率。在UMC55nm工艺下仿真,对512点的FFT仿真结果显示,ADC的整体信噪比(SNR)能够达到85.98dB,有效位数(ENOB)能够达到13.9bit,在电源电压为2.5V的情况下,平均功耗为5.05mW。
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2023年第23卷第5期 pp. 050305
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基于TMS320C2000系列SCI接口的实时在线程序升级方法
钟洪念;丁杰;顾瀚戈;陈勇
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0040
摘要
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173
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41
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可视化
在一些对实时性要求高的应用场景,上电后DSP程序就需要运行,如某些伺服电机控制系统,上电就需要电机启动运行,需要等待时间的传统在线升级方式就不再适用。提出了一种通过RS422接口发送BIN文件至TI C2000系列DSP SCI接口进行实时在线程序升级的新方法,可以在满足程序在线升级的同时,具备上电实时启动系统的要求。
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2023年第23卷第5期 pp. 050302
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RK3566主板HDMI收发电路设计与实现
邓毅;刘永春;尹何;方武辉;王林
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0054
摘要
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149
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(1676KB)(
40
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可视化
HDMI以其技术优势与低成本特点成为电子设备显示应用中较为广泛的接口类型。采用RK3566+RK628D的组合方式对HDMI收发电路进行设计。对HDMI信号与移动行业处理器接口-摄像机串行接口(MIPI_CSI)信号做了详细的分析,并对视频功能拓扑结构以及HDMI接口电路设计与MIPI_CSI信号处理作了详细的描述。调试结果表明,该接口电路符合功能性及可靠性要求,HDMI显示功能正常且性能良好,满足系统要求。
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2023年第23卷第5期 pp. 050307
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一种高温度稳定性的GaN基准电压源设计
*
张黎莉;邱一武;殷亚楠;王韬;周昕杰
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0051
摘要
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127
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(1657KB)(
79
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可视化
基于宽带隙、高饱和电子漂移速率、高击穿场强等材料特性优势,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在高频大功率器件领域发展前景广阔。在集成电路中,基准电压源是为其他电路模块提供稳定参考电压的关键功能模块。基于0.5 μm BCD GaN HEMT工艺,提出一种GaN基准电压源的设计方案。Cadence Spectre仿真结果显示,该GaN基准电压源在-40~150℃范围内可实现2.04 V的稳定电压输出,温度系数为3.7′10
-6
/℃。在室温27℃下,当电源电压由5 V增至20 V时,输出电压的线性灵敏度为0.13%/V。该GaN基准电压源具有高温度稳定性,后续可与不同的GaN基电路模块组合构成功能丰富的GaN基集成电路。
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2023年第23卷第5期 pp. 050304
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高速运算放大器低失调输入级的设计
石宁;李逸玚;沈坚;任罗伟
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0038
摘要
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125
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106
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可视化
差分对结构是运算放大器(运放)的基础结构,对电路性能至关重要。现实中,工艺偏差无法避免,其带来的失配会影响运放的精度。对多级放而言,输入级的失调程度决定了整个放大器的精度,因此低失调输入级成为运放设计的重点之一。为获得低失调的运放输入级,研究了差分对电阻
R
C
和电路失配的关系,通过修调失配电阻Δ
R
C
补偿其余失配项带来的影响。使用西岳4μm 50V的工艺做全芯片参数验证,结果表明,失调电压低于60μV,相较于通用运放减小了76%;温漂系数可达0.3μV/℃,相较于通用运放减小了50%。这种方法简单、方便,可避免对电路结构做大规模调整,且对电路功耗的影响可以忽略。
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2023年第23卷第5期 pp. 050301
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可变容量的高可靠Flash型FPGA配置存储器设计
曹正州,查锡文
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0127
摘要
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112
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33
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可视化
采用0.18μm 2P6M Flash工艺设计了一款FPGA配置存储器,为SRAM型FPGA提供了串行和并行的码流加载方式,最高工作频率为50MHz,具有存储容量可变、可靠性高的优点。通过设计地址侦测电路实现了该FPGA配置芯片的存储容量可变,从而提高了该配置芯片的适用范围;通过设计双模的复位电路,使芯片更适应复杂的电源环境,提高了上电复位的可靠性;通过设计存储器内建自测试(MBIST)电路,实现了对Flash全地址存储空间的自测试和对电路的高效筛选,减少了芯片的测试时间,同时提高了配置芯片存储空间的可靠性。
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2023年第23卷第10期 pp. 100301
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适用于数字T/R组件的小型化三维SiP收发变频模块设计
宋俊欣, 杨旭, 潘碑, 柳超
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0147
摘要
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102
)
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(1461KB)(
93
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可视化
研究并实现了适用于数字T/R组件的2种小型化三维系统级封装(SiP)收发变频模块的设计。为了获得更高的隔离度与杂散指标,设计了2种SiP变频模块,分别实现Ku波段和S波段的一次变频功能,模块内部集成双向放大器、滤波器和混频器等。SiP变频模块采用三维垂直互联、板级堆叠工艺(POP)、LC滤波器等多种技术,每个模块的尺寸仅有14.2 mm×8.5 mm×3.8 mm。2种SiP模块组合使用可实现信号在Ku波段至125MHz的2次收发变频功能,8.5 mm的宽度非常适用于数字T/R组件。同时给出了SiP模块化数字T/R组件的设计解决方案。
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2023年第23卷第11期 pp. 110301
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一种高压驱动器的抗辐射加固设计
蒋红利, 江月艳, 孙志欣, 邵卓, 钟涛, 高欣宇
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0111
摘要
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102
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(1370KB)(
62
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可视化
随着星载雷达技术的发展,发射及接收(T/R)组件系统中的发射功率越来越高。高压调制驱动器配套功率开关PMOS管,作为T/R组件中大功率GaN功放的电源调制驱动,大大提高了T/R组件的集成度及可靠性。介绍了一款T/R组件系统中32V的高压调制驱动器,基于高压BCD工艺进行设计、流片,设计上通过选取合适的高压器件及器件工作电压,优化逻辑结构、版图器件隔离及布线等技术进行抗辐射加固。经过验证,产品达到了100krad(Si)总剂量指标及75MeV·cm
2
/mg的单粒子指标。
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2023年第23卷第8期 pp. 080303
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宽带射频垂直过渡结构的设计
伊雅新,杨睿天,辜霄,李庆东,孙科,杨秀强
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0142
摘要
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101
)
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(1388KB)(
83
)
可视化
针对多层毫米波的射频传输问题,设计了一种宽带射频垂直过渡结构。通过调节微带线枝节与绝缘子之间的匹配关系,使射频信号在多层介质基板中实现低损耗、宽频带的传输。利用三维电磁仿真软件对该过渡结构进行了建模仿真,实物加工和测试结果表明,在DC至40GHz的频带范围内回波损耗低于-8 dB,插入损耗大于-2.2 dB(包含了接头损耗及加工误差)。
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2023年第23卷第10期 pp. 100303
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基于40nm CMOS工艺的全数字锁相环的I
2
C接口设计
李幸和;唐路;万世松
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0058
摘要
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94
)
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(1844KB)(
62
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可视化
基于40 nm CMOS工艺设计了一款I
2
C接口模块,该模块用于全数字锁相环(ADPLL)的测试与应用场景,能够输出锁相环控制字或将控制字写入锁相环内部。按照ADPLL的功能需求将接口划分为系统模块,根据ADPLL的系统特点设计了对应的时序控制模块,实现了控制字数据的读写功能。通过Verilog HDL对系统完成行为级描述,利用脚本自动化设计,能够大幅节省设计时间,易于集成到系统中。实际测试结果表明,该I
2
C接口模块能够对ADPLL相应控制端写入控制字,依照I
2
C串行总线协议与外部微控制器通信,可同时实现对ADPLL控制和监测的功能,满足测试与应用需求。
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2023年第23卷第6期 pp. 060301
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基于新型部分积生成器和提前压缩器的乘法器设计
蔡永祺,李振涛,万江华
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0153
摘要
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93
)
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(1048KB)(
71
)
可视化
为了提高乘法器性能,采用基4 Booth编码算法设计Booth编码器,使用华莱士树压缩结构设计16 bit有符号数乘法器;针对部分积生成的复杂过程提出一种新的部分积生成器,同时进行部分积的产生与选择,提高了部分积生成效率;针对压缩过程中的资源浪费,提出一种部分积提前压缩器,将某几位部分积在进入压缩树之前进行合并,减少了压缩单元的使用。基于28 nm工艺对乘法器进行逻辑综合,关键路径延时为0.77ns,总面积为937.3 μm
2
,功耗为935.71 μW,能够较好地提升乘法器的面积利用率和运算性能。
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2023年第23卷第11期 pp. 110304
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基于Innovus的局部高密度布局规避方法
李应利;王淑芬
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0009
摘要
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92
)
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(1002KB)(
46
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可视化
标准单元布局是数字集成电路后端设计的重要环节之一,标准单元密度过高影响着工具的布线和时序的优化。采用UMC 28 nm工艺,基于Innovus的两种方法,解决由于局部高密度标准单元导致保持时间违例、无法通过工具自动化修复的问题,在实现时序优化的同时降低了动态IR Drop。结果表明,在PreCTS阶段设置setPlaceMode-place_global_max_density value对于后续时序优化效果更好,且动态IR Drop降低8.85%。
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2024年第24卷第1期 pp. 010302
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基于开关电容放大器的低面积开销ADC
*
黄合磊, 佴宇飞, 虞致国, 顾晓峰
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0105
摘要
(
89
)
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(1535KB)(
55
)
可视化
针对模数转换器(ADC)在存内计算芯片中面积占比大的问题,提出了一种基于开关电容放大器的低面积开销ADC,包括一个全局数模转换器(GDAC)和基于开关电容放大器的局部列级ADC。整体电路采用单端逐次逼近型(SAR)ADC架构,利用开关电容放大器实现电压的逐次逼近,大幅度减少了单位电容数量,降低了局部列级ADC的整体面积开销;局部列级ADC共用由GDAC同步产生的参考电压,提高了ADC的整体面积效率。基于55 nm CMOS工艺设计了单列8位ADC,电源供电电压为1.2 V,输入电压范围为200~800 mV,在2.22 MSa/s的采样速率下,其功耗为144 μW,面积为792 μm
2
。仿真结果表明,ADC的有效位数为7.86 bit,无杂散动态范围为64.3 dB,品质因数(FoM)为987 pJ×μm
2
/conv。
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2023年第23卷第8期 pp. 080301
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一种高精度CMOS温度传感器校准电路
卓琳;邵杰;任凤霞;万书芹;章宇新;黄立朝
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0060
摘要
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88
)
PDF
(1153KB)(
47
)
可视化
针对集成式传感器中CMOS器件非理想因素导致的测量误差,设计了一种数字校准电路,校准电路由存储模块、失调误差校准模块和增益误差校准等模块组成。因模拟器件受温度影响较大,不同温度的增益线性度不同,所以增益误差采用分温度区间进行校准。电路采用0.18μm CMOS工艺实现,校准后温度传感器误差可提高到-0.05~+0.15℃。
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2023年第23卷第6期 pp. 060302
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一种9~26 GHz宽带MMIC低噪声放大器的设计与实现
叶坤,张梦璐,蒋乐,豆兴昆,丁浩
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0139
摘要
(
87
)
PDF
(1205KB)(
51
)
可视化
基于0.15 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺实现了一款工作频率覆盖9~26 GHz的宽带低噪声放大器。该放大器采用三级共源放大电路级联结构,前两级放大器采用电流复用来降低电路功耗,并提供一个较高的增益,并在后两级引入并联负反馈结构来扩展带宽、改善增益平坦度。测试结果表明,在9~26 GHz的宽频带范围内,芯片为单电源+5 V供电,静态电流为55 mA,噪声系数不大于2.5 dB,小信号增益大于18 dB并具有一定的正斜率,输出功率1 dB压缩点高于13 dBm,尺寸为1.75 mm×1.05 mm,具有宽频带、低噪声、低功耗、面积小等性能优势。
参考文献
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2023年第23卷第10期 pp. 100302
Select
一种基于ACOT的Buck型开关电源设计
谢凌寒,孙祎轩,周颖,荣悦
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0151
摘要
(
85
)
PDF
(1249KB)(
42
)
可视化
基于自适应恒定导通时间(ACOT)控制方式,设计了一种恒频效果良好的降压型DC-DC转换器。该转换器采用V
2
COT架构,兼具输出精度高和瞬态响应速度快的特点。采用一种改进的自适应导通时间控制方式,降低了负载电流对开关频率的影响,使转换器在连续导通模式(CCM)下具有良好的开关频率稳定性。基于东部高科0.15 μm BCD工艺完成流片,芯片输入电压为4.5~17 V,输出电压为0.76~7 V,最大负载电流为3 A,开关频率为1 MHz。测试结果表明,在CCM模式下,开关频率随输入电压变化率为2.67 kHz/V,随负载电流变化率为2.95 kHz/A,峰值效率达96.43%,输出电压纹波为8. 2mV,负载调整率为0.93%,负载瞬态响应时间小于20μs。
参考文献
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2023年第23卷第11期 pp. 110303
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一种电压采集电路的FPGA程序设计
吕思宇;顾林;倪云龙;王传宇;刘伟
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0053
摘要
(
77
)
PDF
(1518KB)(
60
)
可视化
设计了一种基于模数转换器AD7298的电压采集电路的FPGA程序,使用FPGA通过串行外设接口(SPI)对AD7298进行配置,以启动对待测设备开关量电压值的采集,然后将获取的电压值通过SPI上传给FPGA,再由FPGA转发给ARM处理器进行处理和显示。FPGA功能仿真结果表明,电压波形正常,现场功能测试实验结果显示,电压数据采集功能正常,且读取到的电压值正确,验证了程序设计的正确性。
参考文献
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2023年第23卷第5期 pp. 050306
Select
一种应用于Sub-6G的宽带低功耗低噪声放大器
*
倪城,王毅炜,杨定坤
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0156
摘要
(
73
)
PDF
(1185KB)(
60
)
可视化
提出了一种工作频率覆盖Sub-6G的宽带低噪声放大器(LNA),该电路采用电阻自偏置AB类放大器级联共源共栅放大器的结构,在实现宽带工作的同时兼具高增益、低功耗的特点。该LNA采用TSMC 40 nm CMOS工艺,在1.3 V工作电压下,增益高于27 dB,噪声系数低于2.6 dB,三阶输入交调截点为-5.6 dBm @ 6 GHz,1 dB压缩点为3.4 dBm @ 6 GHz,静态功耗仅为0.94 mW,版图面积为0.014 mm
2
。
参考文献
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2023年第23卷第12期 pp. 120302
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一种超低静态电流ACOT降压转换器
汪东,谢凌寒
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0115
摘要
(
70
)
PDF
(1171KB)(
82
)
可视化
在可穿戴和物联网等应用领域,电池通常为系统供电。为保证系统能长时间待机,需要电源芯片具有超低待机电流。为降低待机功耗,在空载进入休眠模式时关断大部分电路,仅保留低功耗振荡器(LP_OSC)、电压基准的采样保持电路和低功耗比较器(LP_CMP),待机电流仅为430 nA。为保证良好的负载瞬态响应,设计了自适应恒定导通时间(ACOT)架构。该架构具有瞬态响应好、电流连续模式频率稳定、环路稳定性好等特点。该芯片可提供最大600 mA的负载电流,峰值效率可达96%,在输入电压为5 V、输出电压为3.3 V、带载电流为10 μA时,效率大于80%。
参考文献
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多维度评价
2023年第23卷第9期 pp. 090301
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端口双向耐高压电路的ESD防护设计技术
邹文英;李晓蓉;杨沛;周昕杰;高国平
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0004
摘要
(
67
)
PDF
(1100KB)(
62
)
可视化
随着CMOS工艺的快速发展,集成电路多电源域设计越来越普遍,电路全芯片ESD设计也越来越复杂。介绍了一款基于0.35 μm CMOS工艺的32路抗辐射总线接口电路的ESD设计技术。同时,对双向耐高压输入管脚的ESD进行加固设计,提高了芯片的抗ESD能力。抗辐射32路总线接口电路通过了4.0 kV人体模型ESD测试,测试结果验证了该设计的有效性。
参考文献
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多维度评价
2024年第24卷第1期 pp. 010301
Select
多触发源ADC控制器设计
张继;杜嘉宸
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0075
摘要
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65
)
PDF
(1829KB)(
21
)
可视化
设计了一种拥有多触发源的模数转换器(ADC)控制器结构。该设计拥有16个开始转换(SOC)配置模块,可支持以最多34个不同触发源或触发方式进行同步或异步触发,使用3种轮询方式,可以对16个SOC配置模块的信号进行仲裁。可控制ADC模拟核进行精度选择、采样模式配置、输入通道选择等,从而实现多种量化精度。对ADC量化结果进行后处理,可进一步提高ADC量化精度,满足更多的系统需求。
参考文献
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多维度评价
2023年第23卷第6期 pp. 060303
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反熔丝FPGA可配置I/O端口可测性设计研究
曹振吉, 曹杨, 隽扬, 曹靓, 马金龙
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0112
摘要
(
65
)
PDF
(1332KB)(
56
)
可视化
反熔丝FPGA在生产阶段不能通过编程后测试对电路进行筛选,必须通过编程前测试来解决生产测试问题。在研究反熔丝型FPGA多标准可配置I/O端口电路结构的基础上,提出一种用于可配置I/O端口的可测性设计(DFT)方案,在可配置I/O端口中插入软配置电路和边界扫描链,实现对可配置端口的临时配置和扫描测试,覆盖所有支持的电平标准及各种可配置I/O功能。仿真及测试结果表明,该DFT能够满足反熔丝型FPGA多标准、可配置I/O端口的测试需求,能够解决可配置I/O在生产中的测试问题。
参考文献
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多维度评价
2023年第23卷第8期 pp. 080304
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一种X波段低相位噪声国产化频率源设计
王玲玲;蒋乐;方志明
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0093
摘要
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可视化
介绍了一种工作在X波段的低相位噪声、100%国产化频率源的工程设计方法。该方法采用锁相环(PLL)+压控振荡器(VCO)经典电路产生频率信号。分析了PLL相位噪声理论模型,对比了同封装的国产PLL芯片和进口PLL芯片两种方案,并对实物进行了测试。试验结果表明,该频率源可稳定输出频率为8.8 GHz、功率约为-5 dBm
[史敏1]
?的微波信号。采用国产PLL芯片制作的频率源相位噪声优于采用进口PLL芯片制作的频率源1~2dB,可做到优于
[史敏2]
?-101 dBc/Hz@1 kHz,-110 dBc/Hz@100 kHz。
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2023年第23卷第7期 pp. 070303
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兼容TTL电平的高速CMOS端口电路设计
邱旻韡, 黄登华, 屈柯柯
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0108
摘要
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可视化
基于0.8μm CMOS工艺设计了全新的兼容晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平的高速CMOS端口电路,该端口电路不仅可以实现与TTL兼容的输入电平,还具有传输延迟时间短的优点。电路工作温度为-55~125℃。电路在工作电压为5V时,输入翻转电平为1.3V,传输上升延迟时间小于1ns,下降延迟时间小于1ns。
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2023年第23卷第8期 pp. 080302
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支持高速DMA传输技术的SSD控制器设计与实现
沈庆,杨楚玮,侯庆庆
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0161
摘要
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可视化
在信息电子通信系统中,往往会有高带宽的数据传输及存储需求,尤其是嵌入式领域,其对数据存储的容量及传输速率要求越来越高。提出一种固态硬盘(SSD)控制器的设计方案,该方案采用多通道扩展方式来管理Flash阵列,具有一定的升级性和扩展性。同时根据SSD数据传输特性,实现了一种高速直接存储器访问(DMA)传输技术,有效提高了SSD数据传输过程中DMA的工作效率和CPU的资源利用率,使该SSD控制器能在-55~125 ℃的工业化环境中正常工作。
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2023年第23卷第12期 pp. 120304
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适用于EEPROM的宽工作条件LDO设计
周旺,李一男,陈风凉,沈鑫,王留所
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0149
摘要
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可视化
设计了一种适用于EEPROM的LDO电路。该电路在电源电压为2.3~5.7 V、工作温度为-60~135℃时可获得稳定的1.8V输出电压,为EEPROM单元读取操作提供所需栅电压。采用国内0.18 μm商用工艺,版图尺寸为480 μm×100 μm。给出了Hspice仿真环境下的仿真结果。
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2023年第23卷第11期 pp. 110302
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可扩展红外编码系统设计
续文敏;姚彬彬;翁子彬
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0050
摘要
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可视化
红外通信因具有可靠性高、保密性强等特点,被广泛应用于多个领域。但红外编码结构复杂多样,目前已有的红外编码系统无法满足多种红外编码格式的扩展需求。为解决以上问题,提出了一种可扩展红外编码系统设计方案。基于红外编码芯片AiP4911和AiP4912设计矩阵按键电路,基于微软基础类库(MFC)框架设计红外编码软件界面并构造编码结构解析框架,利用可扩展标记语言(XML)文件记录编码通用信息,实现了可扩展功能。测试结果表明,该系统很好地实现了可扩展功能,同时经误差补偿后的编码精度在±2%内,满足了高精度和可扩展的需求,有利于红外编码的广泛应用。
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2023年第23卷第5期 pp. 050303
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一个帧可控通用LCD驱动电路的设计
朱培敏;兰亚峰
DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0088
摘要
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可视化
设计了一款高度灵活、帧速率可控的液晶显示器(LCD)驱动电路,该驱动电路由外部电源供电,可工作在高性能或低功耗模式。在通用LCD驱动电路的基础上增加了前置频率发生器,实现了帧频速率在30~100Hz之间高度灵活可编。死区持续时间的插入使对比度在电压调控基础上更加细化,同时也降低了电路的功耗。该驱动电路提供了多种可选的驱动方案,最多可驱动216(8×27)个LCD像素。
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2023年第23卷第7期 pp. 070301
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