中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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电子与封装 ›› 2016, Vol. 16 ›› Issue (10): 36 -38. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0119

• 微电子制造与可靠性 • 上一篇    下一篇

先进节点接触层照明类型优化解决光刻制造要求

刘娟12   

  1. 1.上海交通大学,上海 200240;2.中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,上海 201203
  • 收稿日期:2016-05-05 出版日期:2016-10-20 发布日期:2016-10-20
  • 作者简介:刘  娟(1981—),女,河南南阳人,本科,现就职于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中级工程师,于技术研发部从事光学临近效应修正的相关工作。

Optimization of Contact Layer Illumination Type to Improve Lithography Manufacture

LIU Juan12   

  1. 1.Shanghai Jiaotong University,Shanghai 200240,China;2.SMIC,Shanghai 201203,China
  • Received:2016-05-05 Online:2016-10-20 Published:2016-10-20

摘要: 先进节点逻辑集成电路制造是当前工业界的领先工艺。为实现接触(Contact)层的光刻工艺,需要从两个关键方面进行处理:解析度和全间距的共有工艺窗口。离轴照明+相移掩模+亚解析度辅助图形多种解析度增强技术的组合使用是解决光刻成像的方法。从优化接触层离轴照明的类型方面解决光刻制造工艺的问题。

关键词: 离轴照明, 照明类型, 工艺窗口, 掩模误差增强因子

Abstract: To achieve contact layer printing in advanced technology node,two key factors need to be considered:resolution and through pitch process window.The combination of Resolution enhancement technologies,namely Off-Axis-Illumination,Phase-Shift-Mask,Sub-Resolution-Assist-Feature,is an effective solution.The paper focuses on illumination optimization to improve contact layer lithography process.

Key words: off-axis illumination, illumination type, process window, MEEF

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