Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0077

电子与封装 ›› 2017, Vol. 17 ›› Issue (6): 41 -44. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0077

Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究

石青宏¹，刘瑞庆²，黄伟²

1.深圳深爱半导体股份有限公司，广东深圳 518116；2.中国电子科技集团公司第 58 研究所，江苏无锡 214072

收稿日期:2017-04-19 出版日期:2017-06-20 发布日期:2017-06-20
作者简介:石青宏（1973—），男，广东深圳人，1998 年毕业于电子科技大学微电子科学与技术专业，目前就职于深圳深爱半导体股份有限公司，主要从事半导体生产与管理工作；刘瑞庆（1981—），男，山东高密人，2006 年毕业于南京理工大学电气工程及自动化专业，目前就职于中国电子科技集团公司第 58研究所，主要从事微电子预研工作。

Studies of Electrical Properties of Ni(W)Si/Si Schottky Barrier Diode

SHIQinghong¹,LIU Ruiqing²,HUANG Wei²

1.Shenzhen SI Semiconductors Co.,Ltd.Shenzhen 518116,China；2.China Electronic Technology Group Corporation No.58 Research Institute,Wuxi214072,China

Received:2017-04-19 Online:2017-06-20 Published:2017-06-20

摘要/Abstract

摘要： 首次提出在 Ni中掺入夹层 W 的方法来提高 NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜，经600～800 ℃快速热退火后，薄层电阻保持较低值，小于 2 Ω/□。经 Raman 光谱分析表明，薄膜中只存在 NiSi相，而没有 NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在 800 ℃以上，比没有掺 W 的镍硅化物转变温度的上限提高了 100 ℃。Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受 650～800 ℃不同温度的快速热退火，肖特基接触特性良好，肖特基势垒高度为 0.65 eV，理想因子接近于 1。

关键词: Ni(W)Si, 热稳定性, 肖特基势垒二极管, XRD, Raman 光谱, 卢瑟福背散射, 快速热退火(RTA)

Abstract: In the paper,a noveltechnique ofadding a thin Winterlayerin the nickelfilm isatfirsttime proposed forbetterthermalstability ofnickelsilicide.After RTA temperature reaches about600～800 ℃,Ni(W)Sifilm exhibits low sheet resistances of less than 2 Ω/□.Raman spectral analysis shows that there exists only NiSi phase and no NiSi

Key words: Ni(W)Si, thermalstability, Schottky Barrier Diode, XRD, Raman spectralanalysis, RBS(Rutherford backscattering spectrometry), RTA(Rapid thermalannealing)

中图分类号:

TN304

石青宏，刘瑞庆，黄伟. Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究[J]. 电子与封装, 2017, 17(6): 41 -44.

SHIQinghong,LIU Ruiqing,HUANG Wei. Studies of Electrical Properties of Ni(W)Si/Si Schottky Barrier Diode[J]. Electronics & Packaging, 2017, 17(6): 41 -44.

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究

Studies of Electrical Properties of Ni(W)Si/Si Schottky Barrier Diode

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