一款深亚微米抗辐照芯片的设计与实现

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0709

电子与封装 ›› 2022, Vol. 22 ›› Issue (7): 070304 . doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0709

一款深亚微米抗辐照芯片的设计与实现

邹文英¹;高丽¹;谢雨蒙¹;周昕杰¹;郭刚²

1. 中科芯集成电路有限公司，江苏无锡? 214072；2. 中国原子能科学研究院抗辐射应用技术创新中心，北京 102413

收稿日期:2021-11-05 出版日期:2022-07-28 发布日期:2022-02-24
作者简介:邹文英（1978—），女，湖北黄冈人，高级工程师，主要从事大规模及抗辐照专用集成电路设计。

Design and Implementation of a Deep Submicron IrradiationResistant Chip

ZOU Wenying¹, GAO Li¹, XIE Yumeng¹, ZHOU Xinjie¹, GUO Gang²

1. China Key System & Integrated Circuit Co., Ltd., Wuxi 214072, China; 2. Innovative Center of Radiation Hardening Applied Technology, China Institute of Atomic Energy, Beijing 102413, China

Received:2021-11-05 Online:2022-07-28 Published:2022-02-24

摘要/Abstract

摘要： 设计了一款适用于航空航天领域的深亚微米抗辐照四路串口收发电路，重点介绍了逻辑设计、后端设计和抗辐照加固设计。电路采用0.18 μm CMOS工艺加工，使用工艺加固、单元加固及电路设计加固等多层次加固技术，有效地提高了电路的抗辐照能力。

关键词: 收发器, 深亚微米, 抗辐照加固

Abstract: A deep submicron irradiation resistant quad serial transceiver circuit for aerospace applications is designed, focusing on logic design, back-end design, and irradiation resistant reinforcement design. The circuit is fabricated by 0.18 μm CMOS process, and multilevel reinforcement techniques such as process reinforcement, cell reinforcement and circuit design reinforcement are used to effectively improve the irradiation resistance of the circuit.

Key words: transceiver, deep submicron, irradiation resistant reinforcement

中图分类号:

TN402

邹文英;高丽;谢雨蒙;周昕杰;郭刚. 一款深亚微米抗辐照芯片的设计与实现[J]. 电子与封装, 2022, 22(7): 070304 .

ZOU Wenying, GAO Li, XIE Yumeng, ZHOU Xinjie, GUO Gang. Design and Implementation of a Deep Submicron IrradiationResistant Chip[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(7): 070304 .

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

一款深亚微米抗辐照芯片的设计与实现

Design and Implementation of a Deep Submicron IrradiationResistant Chip

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