摘要: 在人工智能、高性能计算和超大规模数据中心的需求驱动下,“铜退光进”已成为不可逆转的趋势。光电共封装技术(CPO)基于先进封装技术,将光模块和电芯片共同封装在同一封装体内,缩短了光模块和电芯片之间的互连长度,减小了寄生效应,具有宽频带、抗电磁干扰、低传输损耗和低功耗等明显优势。CPO技术是突破后摩尔时代算力与能效瓶颈的关键路径。本文梳理了基于2.5D和3D先进封装技术的CPO优缺点,重点分析了3D CPO中硅通孔(TSV)所面临的工艺挑战,针对性提出了相应的工艺改进方法,为后续3D CPO技术发展和TSV制造工艺优化提供了参考。