摘要: 根据高功率、低插损、高隔离的要求,选择串并联电路形式对这些指标做折衷处理。采用多芯片模块组装工艺,把PIN管芯片通过焊料烧结在氮化铝基板上。相比于传统基板材料,氮化铝陶瓷基板导热性能优良,无需加装散热器,使电路尺寸减小,制作简单。实现在L波段上,通过峰值功率500 W、占空比30%的脉冲信号,插入损耗小于0.8 dB,隔离度大于35 dB。
中图分类号:
孟向俊, 杨 磊, 黄贞松, 宋 艳, 许 庆. L波段大功率开关的研制[J]. 电子与封装, 2016, 16(7):
34 -38.
MENG Xiangjun, YANG Lei, HUANG Zhensong, SONG Yan, XU Qing. Design of L-band Power Switch[J]. Electronics & Packaging, 2016, 16(7):
34 -38.