摘要： 介绍一组基于0.18 μm逻辑平台构建的低导通态电阻（Low Ron）NLDMOS。该组LDMOS涵盖10～30 V应用电压。该NLDMOS为完全隔离型，因而其源端和漏端均可以独立于衬底加偏压。针对Drift区域和Body区域分别进行结构优化，最终得到性能良好的低导通态电阻（Low Ron）NLDMOS。其导通态电阻（Ron）为4.4 mΩ·mm-2对应击穿电压（BV）～20 V，21 mΩ·mm-2对应击穿电压（BV）～41 V。
中图分类号:
冯喆韻, 马千成, 汪 铭. 0.18 μm完全隔离型低导通态电阻（Low Ron）NLDMOS研究[J]. 电子与封装, 2016, 16(7):
39 -43.
FENG Zheyun, MA Qiancheng, WANG Ming. Studies of 0.18 μm Fully Isolated Low RonNLDMOS[J]. Electronics & Packaging, 2016, 16(7):
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