一种用于OTP存储器的灵敏放大器设计

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0083

电子与封装 ›› 2016, Vol. 16 ›› Issue (7): 29 -33. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0083

一种用于OTP存储器的灵敏放大器设计

袁同伟，潘滨，孙杰杰，胡晓琴

中国电子科技集团公司第58研究所，江苏无锡214035

收稿日期:2016-04-05 出版日期:2016-07-20 发布日期:2016-07-20
作者简介:袁同伟（1988—），男，河南周口人，硕士研究生，目前主要从事抗辐射集成电路设计。

Design of a Sense Amplifier for OTP Memory

YUAN Tongwei，PAN Bin，SUN Jiejie，HU Xiaoqin

China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute，Wuxi 214035，China

Received:2016-04-05 Online:2016-07-20 Published:2016-07-20

摘要/Abstract

摘要： 设计了一种应用于反熔丝OTP存储器的灵敏放大器电路，该电路采用电压型灵敏放大，通过严格的读控制时序，该灵敏放大器能够准确无误地读出并锁存反熔丝存储单元的存储状态。电路结构简单、功耗低、电阻识别精度高、抗干扰能力强。仿真验证表明，在典型条件下，整个灵敏放大阶段仅需要8 ns，且满足在不同工作电压及温度条件下的工作需求。

关键词: 反熔丝, OTP, 存储器, 灵敏放大器

Abstract: The paper presents a voltage-mode sense amplifier for anti-fuse OTP memory.The strict read control timing enables accurate access and latching of the storage status.The circuit has many advantages including simple structure，low power consumption，precise resistance identification and excellent anti-interference capability.Simulation results show that the entire amplification duration is merely 8ns under normal condition.Besides，the amplifier is capable of working at various voltage and temperature conditions.

Key words: anti-fuse, OTP, memory, sense amplifier

中图分类号:

TN432

袁同伟, 潘滨, 孙杰杰, 胡晓琴. 一种用于OTP存储器的灵敏放大器设计[J]. 电子与封装, 2016, 16(7): 29 -33.

YUAN Tongwei, PAN Bin, SUN Jiejie, HU Xiaoqin. Design of a Sense Amplifier for OTP Memory[J]. Electronics & Packaging, 2016, 16(7): 29 -33.

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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Design of a Sense Amplifier for OTP Memory

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