中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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电子与封装 ›› 2017, Vol. 17 ›› Issue (1): 24 -26. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0007

• 电路设计 • 上一篇    下一篇

一种用于FPGA存储单元的上电复位状态机设计

徐玉婷 ,耿 杨1,董宜平2,胡 凯2   

  1. 1. 无锡中微亿芯有限公司,江苏 无锡214072; 2. 中国电子科技集团公司第58研究所,江苏 无锡 214072
  • 出版日期:2017-01-15 发布日期:2020-04-17
  • 作者简介:徐玉婷(1983—),女,江西南昌人,硕士,工程师,研究方向为千万门级FPGA 设计。
  • 基金资助:
    国家科技重大专项资助项目(2015ZX01018101-005)

Design of Power-on Reset State Machine for FPGA

XU Yuting1, GENG Yang1, DONG Yiping2, HU Kai2   

  1. 1. East Technologies, inc. Wuxi 214072, China; 2. China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute, Wuxi 214072, China
  • Online:2017-01-15 Published:2020-04-17

摘要: 基于FPGA芯片,设计实现了一种上电复位状态机。在电路内部产生一系列的复位信号,控制配置存储单元SRAM的数据、地址以及电源,使其在不同阶段保持合适的电压,帮助SRAM在上电过程中顺利完成初始化,提高FPGA芯片启动的稳定性。

关键词: FPGA, 上电复位, 状态机, SRAM

Abstract: A design of power-on reset state machine for FPGA is presented in the paper. The state machine generates a set of reset signals to maintain proper voltage for memory cells. It ensures the memory cells initializes successfully during the power-on process and enhances FPGA reliability and stability.

Key words: FPGA, power on reset, state machine, SRAM

中图分类号: