大脉宽高效率S 波段功率放大器的研制

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0611

电子与封装 ›› 2019, Vol. 19 ›› Issue (6): 047 -50. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0611

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大脉宽高效率S 波段功率放大器的研制

陈晓青，章勇佳，时晓航

南京电子器件研究所，南京 210016

收稿日期:2019-04-01 出版日期:2019-06-19 发布日期:2019-06-19
作者简介:陈晓青（1980—），男，江苏泰州人，硕士，高级工程师，主要从事功放链路及TR 组件方面的研究工作。

Manufacture of S Band Wide Pulse-Width Power Amplifier with High Efficiency

CHEN Xiaoqing,ZHANG Yongjia,SHI Xiaohang

Nanjing Electronic Device Institute,Nanjing 210016,China

Received:2019-04-01 Online:2019-06-19 Published:2019-06-19

摘要/Abstract

摘要： 采用内匹配的技术，利用了GaN HEMT 功率芯片研制了一款应用在S 波段的大脉宽、大功率、高效率的功率放大器。放大器最终实现了1 ms 脉宽、30%占空比、在600 MHz 的带宽下脉冲输出功率大于150W、附加效率大于55%的设计目标，印证了GaN 功率器件的优越性能和广泛应用前景。

关键词: 高效率, 功率放大器, S 波段

Abstract: An S band power amplifier withwide pulse-width,high efficiency and high power is designed based on GaN HEMT power chips using internal matching technology.The amplifier finally achieves the goal:in the whole frequency range,the output power is greater than 150 W and the power added efficiency is higher than 55%in 1 ms pulse-width and 30%duty cycle.The achievements prove GaN power devices'great performance and broad prospects in microwave applications.

Key words: high efficiency, power amplifier, S band

中图分类号:

TN722.7

陈晓青，章勇佳，时晓航. 大脉宽高效率S 波段功率放大器的研制[J]. 电子与封装, 2019, 19(6): 047 -50.

CHEN Xiaoqing,ZHANG Yongjia,SHI Xiaohang. Manufacture of S Band Wide Pulse-Width Power Amplifier with High Efficiency[J]. Electronics & Packaging, 2019, 19(6): 047 -50.

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

大脉宽高效率S 波段功率放大器的研制

Manufacture of S Band Wide Pulse-Width Power Amplifier with High Efficiency

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