基于GaN HEMT的S波段大功率内匹配功放管设计

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0712

电子与封装 ›› 2019, Vol. 19 ›› Issue (7): 045 -48. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0712

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基于GaN HEMT的S波段大功率内匹配功放管设计

陈晓青，戈硕，时晓航

南京电子器件研究所，南京 210016

收稿日期:2019-04-16 出版日期:2019-07-18 发布日期:2019-07-18
作者简介:陈晓青（1980—），男，江苏泰州人，硕士学历，高级工程师，主要从事功放链路及TR组件研究。

Design of S-Band High Power Internally Matched Power Amplifier Based on the GaN HEMT

CHEN Xiaoqing,GE Shuo,SHI Xiaohang

Nanjing Electronic Device Institute,Nanjing 210016,China

Received:2019-04-16 Online:2019-07-18 Published:2019-07-18

摘要/Abstract

摘要： 采用GaN HEMT功率芯片研制了一款应用在S波段的宽频段、大功率、高效率的功率放大器。通过load-pull技术牵引得出GaN管芯在此频段的输入阻抗和输出阻抗。在设计过程中，采用多节阻抗匹配变换器实现了宽带的功率分配和合成。此款内匹配功率管最终实现了如下性能指标：工作脉宽100μs，在400 MHz的工作带宽下脉冲输出功率大于800 W，漏极效率大于60%。

关键词: 大功率, 内匹配, 功率放大器, S波段

Abstract: A S-band power amplifier with high power,high efficiency,broadband based on the GaN HEMT is designed.Theinput and output impedancesof the deviceare attained with load pull and modeling technique.In the design process,the broadband power divider and combiner circuit isrealized by using binomial impedance transformer.The amplifier finally achieves the goal：the output power is greater than 800 W at 400 MHz bandwidthand thepower added efficiency ishigher than60%in100μspulse-width.

Key words: high power, internally matched, power amplifier, Sband

中图分类号:

TN722.7

陈晓青，戈硕，时晓航. 基于GaN HEMT的S波段大功率内匹配功放管设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(7): 045 -48.

CHEN Xiaoqing,GE Shuo,SHI Xiaohang. Design of S-Band High Power Internally Matched Power Amplifier Based on the GaN HEMT[J]. Electronics & Packaging, 2019, 19(7): 045 -48.

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中国半导体行业协会封测分会会刊

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Design of S-Band High Power Internally Matched Power Amplifier Based on the GaN HEMT

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